Suseptor tong salutan CVD SiC

Pertumbuhan epitaksi ialah proses menumbuhkan filem kristal tunggal (lapisan kristal tunggal) pada substrat kristal tunggal (substrat). Filem kristal tunggal ini dipanggil epilayer. Apabila epilayer dan substrat diperbuat daripada bahan yang sama, ia dipanggil pertumbuhan homoepitaxial; apabila ia diperbuat daripada bahan yang berbeza, ia dipanggil pertumbuhan heteroepitaxial.

Mengikut struktur kebuk tindak balas epitaxial, terdapat dua jenis: mendatar dan menegak. Susceptor relau epitaxial menegak berputar secara berterusan semasa operasi, jadi ia mempunyai keseragaman yang baik dan jumlah pengeluaran yang besar, dan telah menjadi penyelesaian pertumbuhan epitaxial arus perdana. Susceptor tong salutan CVD SiC ialah komponen teras relau epitaxial jenis tong. Dan VeTek Semiconductor ialah pakar pengeluaran SiC Coated Graphite Barrel Susceptor untuk EPI.

Dalam peralatan pertumbuhan epitaxial seperti MOCVD dan HVPE, SiC Coated Graphite Barrel Susceptors digunakan untuk membetulkan wafer untuk memastikan ia kekal stabil semasa proses pertumbuhan. Wafer diletakkan pada susceptor jenis tong. Semasa proses pengeluaran berjalan, susceptor berputar secara berterusan untuk memanaskan wafer secara sekata, manakala permukaan wafer terdedah kepada aliran gas tindak balas, akhirnya mencapai pertumbuhan epitaxial yang seragam.

Skema susceptor jenis laras salutan CVD SiC

Relau pertumbuhan epitaxial adalah persekitaran suhu tinggi yang dipenuhi dengan gas menghakis. Untuk mengatasi persekitaran yang keras seperti itu, VeTek Semiconductor menambah lapisan salutan SiC pada susceptor tong grafit melalui kaedah CVD, dengan itu memperoleh Susceptor Barrel Graphite Bersalut SiC

Ciri-ciri struktur:

●  Pengagihan suhu seragam: Struktur berbentuk tong boleh mengedarkan haba dengan lebih sekata dan mengelakkan tekanan atau ubah bentuk wafer akibat terlalu panas atau penyejukan setempat.

●  Kurangkan gangguan aliran udara: Reka bentuk susceptor berbentuk tong boleh mengoptimumkan pengagihan aliran udara dalam ruang tindak balas, membolehkan gas mengalir dengan lancar di atas permukaan wafer, yang membantu menghasilkan lapisan epitaxial yang rata dan seragam.

●  Mekanisme putaran: Mekanisme putaran susceptor berbentuk tong meningkatkan ketekalan ketebalan dan sifat bahan lapisan epitaxial.

●  Pengeluaran berskala besar: Susceptor berbentuk tong boleh mengekalkan kestabilan strukturnya sambil membawa wafer besar, seperti wafer 200 mm atau 300 mm, yang sesuai untuk pengeluaran besar-besaran berskala besar.

Susceptor jenis tong salutan CVD SiC Semikonduktor VeTek terdiri daripada grafit ketulenan tinggi dan salutan CVD SIC, yang membolehkan susceptor berfungsi untuk masa yang lama dalam persekitaran gas yang menghakis dan mempunyai kekonduksian terma yang baik dan sokongan mekanikal yang stabil. Pastikan wafer dipanaskan sama rata dan mencapai pertumbuhan epitaxial yang tepat.

Sifat fizikal asas salutan SiC CVD

Sifat fizikal asas salutan SiC CVD
Harta benda	Nilai Biasa
Struktur Kristal	Polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111).
Ketumpatan	3.21 g/cm³
Kekerasan	2500 Vickers kekerasan（500g beban）
Saiz Bijirin	2~10μm
Ketulenan Kimia	99.99995%
Kapasiti Haba	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lentur	415 MPa RT 4 mata
Modulus Muda	430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃
Kekonduksian Terma	300W·m-1·K-1
Pengembangan Terma(CTE)	4.5×10-6K-1

VeTek Semiconductor CVD SiC coating barrel type susceptor