Cincin grafit ketulenan tinggi sesuai untuk proses pertumbuhan epitaxial GaN. Kestabilan yang sangat baik dan prestasi unggul telah menjadikannya digunakan secara meluas. VeTek Semiconductor menghasilkan dan mengeluarkan cincin grafit ketulenan tinggi terkemuka dunia untuk membantu industri epitaksi GaN terus maju. VeTekSemi berharap untuk menjadi rakan kongsi anda di China.
Proses daripadaGaN epitaxialpertumbuhan dijalankan dalam persekitaran yang bersuhu tinggi dan menghakis. Zon panas relau pertumbuhan epitaxial GaN biasanya dilengkapi dengan bahagian grafit ketulenan tinggi yang tahan haba dan tahan kakisan, seperti pemanas, mangkuk pijar, elektrod grafit, pemegang pijar, kacang elektrod, dll. Pengedap cincin grafit adalah salah satu daripada bahagian penting.
Cincin grafit ketulenan tinggi Semikonduktor VeTek diperbuat daripada grafit tulen dengan ketulenan yang sangat tinggi, dan kandungan abu produk siap boleh <5PPM.
Dan cincin grafit mempunyai ciri-ciri rintangan suhu tinggi dan rintangan kakisan, kekonduksian elektrik dan haba yang baik, kestabilan kimia, dan rintangan kejutan haba, menjadikannya sesuai untuk digunakan dalam relau pertumbuhan epitaxial GaN.
Cincin grafit ketulenan tinggi Semikonduktor VeTek diperbuat daripada grafit berkualiti tinggi, dengan prestasi yang stabil dan hayat perkhidmatan yang panjang. Jika anda perlu melakukan pertumbuhan epitaxial GaN, cincin grafit ketulenan tinggi kami ialah pilihan terbaik bagi bahagian grafit.
VeTek Semiconductor boleh menyediakan pelanggan dengan produk yang sangat disesuaikan, sama ada saiz atau bahan cincin, ia boleh memenuhi pelbagai keperluan pelanggan. Kami sedang menunggu perundingan anda pada bila-bila masa.
Data bahan grafit SGL 6510
Sifat tipikal
Unit
Piawaian ujian
Nilai
Saiz bijian purata
μm
ISO 13320
10
Ketumpatan pukal
g/cm3
DARIPADA IEC 60413/204
1.83
Keliangan terbuka
Vol.%
DIN 66133
10
Diameter pintu masuk liang sederhana
μm
DIN 66133
1.8
Pekali kebolehtelapan (suhu ambien)
cm2/s
DARI 51935
0.06
Kekerasan Rockwell HR5/100
\
DARIPADA IEC 60413/303
90
Kerintangan
μΩm
DARIPADA IEC 60413/402
13
Kekuatan lentur
MPa
DARIPADA IEC 60413/501
60
Kekuatan mampatan
MPa
DIN 51910
130
Modulus dinamik keanjalan
MPa
DIN 51915
11.5 x 103
Pengembangan terma (20-200 ℃)
K-1
DIN 51909
4.2x10-6
Kekonduksian terma(20℃)
Wm-1K-1
DIN 51908
105
Kandungan abu
ppm
DIN 51903
\
Vetek Semiconductor Kedai produk cincin grafit ketulenan tinggi :