Masalah dalam Proses Etsa

Goresanteknologi adalah salah satu langkah utama dalam proses pembuatan semikonduktor, yang digunakan untuk mengeluarkan bahan tertentu dari wafer untuk membentuk corak litar. Walau bagaimanapun, semasa proses etsa kering, jurutera sering menghadapi masalah seperti kesan pemuatan, kesan alur mikro dan kesan pengecasan, yang secara langsung menjejaskan kualiti dan prestasi produk akhir.

 Ⅰ Kesan Pemuatan

Kesan pemuatan merujuk kepada fenomena apabila kawasan goresan meningkat atau kedalaman goresan meningkat semasa goresan kering, kadar goresan berkurangan atau goresan tidak sekata kerana bekalan plasma reaktif yang tidak mencukupi. Kesan ini biasanya berkaitan dengan ciri-ciri sistem etsa, seperti ketumpatan dan keseragaman plasma, tahap vakum, dan lain-lain, dan terdapat secara meluas dalam pelbagai etsa ion reaktif.

 •Meningkatkan ketumpatan dan keseragaman plasma: Dengan mengoptimumkan reka bentuk sumber plasma, seperti menggunakan kuasa RF atau teknologi percikan magnetron yang lebih cekap, ketumpatan yang lebih tinggi dan plasma teragih yang lebih seragam boleh dijana.

 •Laraskan komposisi gas reaktif: Menambah jumlah gas tambahan yang sesuai kepada gas reaktif boleh meningkatkan keseragaman plasma dan menggalakkan pelepasan berkesan etsa     hasil sampingan.

 •Optimumkan sistem vakum: Meningkatkan kelajuan pengepaman dan kecekapan pam vakum boleh membantu mengurangkan masa tinggal produk sampingan etsa di dalam ruang, dengan itu mengurangkan kesan beban.

 •Reka susun atur fotolitografi yang munasabah: Apabila mereka bentuk susun atur fotolitografi, ketumpatan corak perlu diambil kira untuk mengelakkan susunan terlalu padat di kawasan tempatan untuk mengurangkan kesan kesan beban.

 Ⅱ Kesan pemangkasan mikro

Kesan parit mikro merujuk kepada fenomena semasa proses goresan, disebabkan oleh zarah tenaga tinggi mengenai permukaan goresan pada sudut condong, kadar goresan berhampiran dinding sisi adalah lebih tinggi daripada di kawasan tengah, mengakibatkan tidak -talang menegak pada dinding sisi. Fenomena ini berkait rapat dengan sudut zarah kejadian dan kecerunan dinding sisi.

 •Tingkatkan kuasa RF: Meningkatkan kuasa RF dengan betul boleh meningkatkan tenaga zarah kejadian, membolehkannya mengebom permukaan sasaran dengan lebih menegak, dengan itu mengurangkan kadar goresan       perbezaan dinding sisi.

 •Pilih bahan topeng etching yang betul: Sesetengah bahan boleh menahan kesan pengecasan dengan lebih baik dan mengurangkan kesan parit mikro yang diburukkan oleh pengumpulan cas negatif pada topeng.

 •Optimumkan keadaan goresan: Dengan melaraskan parameter seperti suhu dan tekanan semasa proses goresan, selektiviti dan keseragaman goresan boleh dikawal dengan berkesan.

 Ⅲ  Kesan Pengecasan

Kesan pengecasan disebabkan oleh sifat penebat topeng etsa. Apabila elektron dalam plasma tidak dapat melarikan diri dengan cepat, mereka akan berkumpul di permukaan topeng untuk membentuk medan elektrik tempatan, mengganggu laluan zarah kejadian, dan menjejaskan anisotropi etsa, terutamanya apabila mengetsa struktur halus.

 • Pilih bahan topeng etching yang sesuai: Sesetengah bahan yang dirawat khas atau lapisan topeng pengalir boleh mengurangkan pengagregatan elektron dengan berkesan.

 •Laksanakan goresan sekejap-sekejap: Dengan mengganggu proses etsa secara berkala dan memberi elektron masa yang cukup untuk melarikan diri, kesan pengecasan boleh dikurangkan dengan ketara.

 •Laraskan persekitaran goresan: Menukar komposisi gas, tekanan dan keadaan lain dalam persekitaran etsa boleh membantu meningkatkan kestabilan plasma dan mengurangkan berlakunya kesan pengecasan.