Tantalum Carbide Berliang: Bahan generasi baharu untuk pertumbuhan kristal SiC

Dengan pengeluaran besar-besaran substrat SiC konduktif secara beransur-ansur, keperluan yang lebih tinggi diletakkan pada kestabilan dan kebolehulangan proses. Khususnya, kawalan kecacatan, sedikit pelarasan atau drift dalam medan haba dalam relau akan membawa kepada perubahan dalam kristal atau peningkatan kecacatan.

Pada peringkat seterusnya, kita akan menghadapi cabaran "berkembang lebih cepat, lebih tebal, dan lebih lama". Sebagai tambahan kepada peningkatan teori dan kejuruteraan, bahan medan haba yang lebih maju diperlukan sebagai sokongan. Gunakan bahan termaju untuk mengembangkan kristal termaju.

Penggunaan bahan yang tidak betul seperti grafit, grafit berliang, dan serbuk tantalum karbida dalam pijar dalam medan haba akan membawa kepada kecacatan seperti peningkatan kemasukan karbon. Di samping itu, dalam beberapa aplikasi, kebolehtelapan grafit berliang tidak mencukupi, dan lubang tambahan perlu dibuka untuk meningkatkan kebolehtelapan. Grafit berliang dengan kebolehtelapan tinggi menghadapi cabaran seperti pemprosesan, kehilangan serbuk dan goresan.

Baru-baru ini, VeTek Semiconductor melancarkan generasi baharu bahan medan haba pertumbuhan kristal SiC,tantalum karbida berliang, buat pertama kali di dunia.

Tantalum karbida mempunyai kekuatan dan kekerasan yang tinggi, malah lebih mencabar untuk menjadikannya berliang. Ia lebih mencabar untuk membuat tantalum karbida berliang dengan keliangan yang besar dan ketulenan yang tinggi. VeTek Semiconductor telah melancarkan terobosan tantalum karbida berliang dengan keliangan yang besar,dengan keliangan maksimum 75%, mencapai tahap terkemuka antarabangsa.

Di samping itu, ia boleh digunakan untuk penapisan komponen fasa gas, melaraskan kecerunan suhu tempatan, membimbing arah aliran bahan, mengawal kebocoran, dsb.; ia boleh digabungkan dengan satu lagi salutan tantalum karbida pepejal (padat) atau tantalum karbida bagi Semikonduktor VeTek untuk membentuk komponen dengan konduktans aliran tempatan yang berbeza; beberapa komponen boleh digunakan semula.

Parameter teknikal

Keliangan ≤75% terkemuka antarabangsa

Bentuk: serpihan, silinder terkemuka Antarabangsa

Keliangan seragam

VeTek semiconductor Porous Tantalum Carbide (TaC) mempunyai ciri-ciri produk berikut

●   Keliangan untuk Aplikasi Serbaguna

Struktur berliang TaC menyediakan pelbagai fungsi, membolehkan penggunaannya dalam senario khusus seperti:

Penyebaran gas: Memudahkan kawalan aliran gas yang tepat dalam proses semikonduktor.

Penapisan: Sesuai untuk persekitaran yang memerlukan pengasingan zarah berprestasi tinggi.

Pelesapan haba terkawal: Mengurus haba dengan cekap dalam sistem suhu tinggi, meningkatkan peraturan terma keseluruhan.

●   Rintangan Suhu Tinggi yang melampau

Dengan takat lebur kira-kira 3,880°C, Tantalum Carbide cemerlang dalam aplikasi suhu ultra tinggi. Rintangan haba yang luar biasa ini memastikan prestasi yang konsisten dalam keadaan di mana kebanyakan bahan gagal.

●   Kekerasan dan Ketahanan Unggul

Kedudukan 9-10 pada skala kekerasan Mohs, serupa dengan berlian, Porous TaC menunjukkan ketahanan yang tiada tandingan terhadap haus mekanikal, walaupun di bawah tekanan yang melampau. Ketahanan ini menjadikannya sesuai untuk aplikasi yang terdedah kepada persekitaran yang kasar.

●   Kestabilan Terma Luar Biasa

Tantalum Carbide mengekalkan integriti dan prestasi strukturnya dalam haba melampau. Kestabilan habanya yang luar biasa memastikan operasi yang boleh dipercayai dalam industri yang memerlukan konsistensi suhu tinggi, seperti pembuatan semikonduktor dan aeroangkasa.

●   Kekonduksian Terma Cemerlang

Walaupun sifatnya berliang, Porous TaC mengekalkan pemindahan haba yang cekap, membolehkan penggunaannya dalam sistem di mana pelesapan haba yang cepat adalah kritikal. Ciri ini meningkatkan kebolehgunaan bahan dalam proses intensif haba.

●   Pengembangan Terma Rendah untuk Kestabilan Dimensi

Dengan pekali pengembangan haba yang rendah, Tantalum Carbide menentang perubahan dimensi yang disebabkan oleh turun naik suhu. Sifat ini meminimumkan tekanan terma, memanjangkan jangka hayat komponen dan mengekalkan ketepatan dalam sistem kritikal.

Dalam pembuatan semikonduktor, Porous Tantalum Carbide (TaC) memainkan peranan utama khusus berikut

●  Dalam proses suhu tinggi seperti etsa plasma dan CVD, VeTek semikonduktor Porous Tantalum Carbide sering digunakan sebagai salutan pelindung untuk peralatan pemprosesan. Ini disebabkan oleh rintangan kakisan yang kuat bagi Salutan TaC dan kestabilan suhu tingginya. Ciri-ciri ini memastikan ia berkesan melindungi permukaan yang terdedah kepada gas reaktif atau suhu melampau, dengan itu memastikan tindak balas normal proses suhu tinggi.

●  Dalam proses resapan, Porous Tantalum Carbide boleh berfungsi sebagai penghalang resapan yang berkesan untuk menghalang percampuran bahan dalam proses suhu tinggi. Ciri ini sering digunakan untuk mengawal resapan dopan dalam proses seperti implantasi ion dan kawalan ketulenan wafer semikonduktor.

●  Struktur berliang semikonduktor VeTek Porous Tantalum Carbide sangat sesuai untuk persekitaran pemprosesan semikonduktor yang memerlukan kawalan atau penapisan aliran gas yang tepat. Dalam proses ini, Porous TaC memainkan peranan utama dalam penapisan dan pengedaran gas. Lengai kimianya memastikan tiada bahan cemar yang diperkenalkan semasa proses penapisan. Ini secara berkesan menjamin ketulenan produk yang diproses.

Mengenai VeTek Semiconductor

Sebagai Pengeluar Karbida Tantalum Berliang profesional China, Pembekal, Kilang, kami mempunyai kilang kami sendiri. Sama ada anda memerlukan perkhidmatan tersuai untuk memenuhi keperluan khusus wilayah anda atau ingin membeli Porous Tantalum Carbide yang canggih dan tahan lama buatan China, anda boleh meninggalkan mesej kepada kami.

Jika anda mempunyai sebarang pertanyaan atau memerlukan butiran tambahan tentangTantalum Carbide berliang、Grafit Berliang Bersalut Tantalum Carbidedan lain-lainKomponen Bersalut Tantalum Carbide, sila jangan teragak-agak untuk menghubungi kami.

☏☏☏Mob/WhatsAPP: +86-180 6922 0752

☏☏☏E-mel: anny@veteksemi.com