China Susceptor LED UV Pengeluar, Pembekal, Kilang

VeTek Semiconductor ialah pengilang yang mengkhusus dalam Susceptors LED UV, mempunyai pengalaman penyelidikan dan pembangunan selama bertahun-tahun dan pengalaman pengeluaran dalam susceptors LED EPI, dan telah diiktiraf oleh ramai pelanggan dalam industri.

LED, iaitu diod pemancar cahaya semikonduktor, sifat fizikal pendaranannya ialah selepas simpang pn semikonduktor ditenagakan, di bawah pemacuan potensi elektrik, elektron dan lubang dalam bahan semikonduktor digabungkan untuk menghasilkan foton, supaya dapat mencapai luminescence semikonduktor. Oleh itu, teknologi epitaxial adalah salah satu asas dan teras LED, dan ia juga merupakan faktor penentu utama untuk ciri elektrik dan optik LED.

Teknologi Epitaxy (EPI) merujuk kepada pertumbuhan bahan kristal tunggal pada substrat kristal tunggal dengan susunan kekisi yang sama dengan substrat. Prinsip asas: Pada substrat yang dipanaskan pada suhu yang sesuai (terutamanya substrat nilam, substrat SiC dan substrat Si), bahan gas indium (In), galium (Ga), aluminium (Al), fosforus (P) dikawal ke permukaan. daripada substrat untuk mengembangkan filem kristal tunggal tertentu. Pada masa ini, teknologi pertumbuhan lembaran epitaxial LED terutamanya menggunakan kaedah MOCVD (pemendapan meteorologi kimia logam organik).

Bahan substrat epitaxial LED

1. LED merah dan kuning:

GaP dan GaAs adalah substrat yang biasa digunakan untuk LED merah dan kuning. Substrat GaP digunakan dalam kaedah epitaksi fasa cecair (LPE), menghasilkan julat panjang gelombang yang luas 565-700 nm. Untuk kaedah epitaksi fasa gas (VPE), lapisan epitaksi GaAsP ditanam, menghasilkan panjang gelombang antara 630-650 nm. Apabila menggunakan MOCVD, substrat GaAs biasanya digunakan dengan pertumbuhan struktur epitaxial AlInGaP. Ini membantu mengatasi kelemahan penyerapan cahaya substrat GaAs, walaupun ia memperkenalkan ketidakpadanan kekisi, yang memerlukan lapisan penimbal untuk mengembangkan struktur InGaP dan AlGaInP.

VeTek Semiconductor menyediakan susceptor EPI LED dengan salutan SiC, salutan TaC:

VEECO Merah dan Kuning LED EPI Susceptor Salutan TaC digunakan dalam susceptor EPI LED

2. LED biru dan hijau:

Substrat GaN: Kristal tunggal GaN ialah substrat yang ideal untuk pertumbuhan GaN, meningkatkan kualiti kristal, jangka hayat cip, kecekapan bercahaya dan ketumpatan arus. Walau bagaimanapun, penyediaannya yang sukar mengehadkan penggunaannya.

Substrat Nilam: Nilam (Al2O3) ialah substrat yang paling biasa untuk pertumbuhan GaN, menawarkan kestabilan kimia yang baik dan tiada penyerapan cahaya yang kelihatan. Walau bagaimanapun, ia menghadapi cabaran dengan kekonduksian haba yang tidak mencukupi dalam operasi arus tinggi cip kuasa.

Substrat SiC: SiC ialah substrat lain yang digunakan untuk pertumbuhan GaN, menduduki tempat kedua dalam bahagian pasaran. Ia memberikan kestabilan kimia yang baik, kekonduksian elektrik, kekonduksian terma, dan tiada penyerapan cahaya yang boleh dilihat. Walau bagaimanapun, ia mempunyai harga yang lebih tinggi dan kualiti yang lebih rendah berbanding dengan nilam. SiC tidak sesuai untuk LED UV di bawah 380 nm. Kekonduksian elektrik dan haba SiC yang sangat baik menghapuskan keperluan untuk ikatan cip flip untuk pelesapan haba dalam LED GaN jenis kuasa pada substrat nilam. Struktur elektrod atas dan bawah berkesan untuk pelesapan haba dalam peranti LED GaN jenis kuasa.

Susceptor EPI LED biru dan hijau AMEC Susceptor MOCVD dengan Salutan TaC

3. EPI LED UV mendalam:

Dalam epitaksi LED ultraungu (DUV) dalam, LED UV dalam atau Epitaksi LED DUV, bahan kimia yang biasa digunakan sebagai substrat termasuk aluminium nitrida (AlN), silikon karbida (SiC), dan galium nitrida (GaN). Bahan ini mempunyai kekonduksian haba yang baik, penebat elektrik dan kualiti kristal, menjadikannya sesuai untuk aplikasi LED DUV dalam persekitaran berkuasa tinggi dan suhu tinggi. Pemilihan bahan substrat bergantung kepada faktor seperti keperluan aplikasi, proses fabrikasi, dan pertimbangan kos.

Susceptor LED UV Dalam Bersalut SiC Susceptor LED UV Dalam Bersalut TaC