Plat Pembawa Etsa PSS Semikonduktor VeTek untuk Semikonduktor ialah pembawa grafit ultra tulen berkualiti tinggi yang direka untuk proses pengendalian wafer. Pembawa kami mempunyai prestasi cemerlang dan boleh berprestasi baik dalam persekitaran yang keras, suhu tinggi dan keadaan pembersihan kimia yang keras. Produk kami digunakan secara meluas di banyak pasaran Eropah dan Amerika, dan kami berharap untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda di China.
Sebagai pengilang profesional, kami ingin memberikan anda Plat Pembawa Etsa PSS berkualiti tinggi untuk Semikonduktor. Plat Pembawa Etsa PSS Semikonduktor VeTek untuk Semikonduktor ialah komponen khusus yang digunakan dalam industri semikonduktor untuk proses etsa Plasma Source Spectroscopy (PSS). Plat ini memainkan peranan penting dalam menyokong dan membawa wafer semikonduktor semasa proses pengelasan. Selamat datang untuk menyiasat kami!
Reka Bentuk Ketepatan: Plat pembawa direka bentuk dengan dimensi yang tepat dan kerataan permukaan untuk memastikan goresan seragam dan konsisten merentas wafer semikonduktor. Ia menyediakan platform yang stabil dan terkawal untuk wafer, membolehkan hasil goresan yang tepat dan boleh dipercayai.
Rintangan Plasma: Plat pembawa mempamerkan rintangan yang sangat baik terhadap plasma yang digunakan dalam proses etsa. Ia kekal tidak terjejas oleh gas reaktif dan plasma bertenaga tinggi, memastikan hayat perkhidmatan yang berpanjangan dan prestasi yang konsisten.
Kekonduksian Terma: Plat pembawa mempunyai kekonduksian terma yang tinggi untuk menghilangkan haba yang dihasilkan dengan cekap semasa proses etsa. Ini membantu dalam mengekalkan kawalan suhu optimum dan mengelakkan kepanasan melampau wafer semikonduktor.
Keserasian: Plat Pembawa Etsa PSS direka bentuk agar serasi dengan pelbagai saiz wafer semikonduktor yang biasa digunakan dalam industri, memastikan serba boleh dan kemudahan penggunaan merentas proses pembuatan yang berbeza.
Sifat fizikal asas salutan SiC CVD | |
Harta benda | Nilai Biasa |
Struktur Kristal | Polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111). |
Ketumpatan | 3.21 g/cm³ |
Kekerasan | 2500 Vickers kekerasan(500g beban) |
Saiz bijirin | 2~10μm |
Ketulenan Kimia | 99.99995% |
Kapasiti Haba | 640 J·kg-1·K-1 |
Suhu Sublimasi | 2700 ℃ |
Kekuatan lenturan | 415 MPa RT 4 mata |
Modulus Muda | 430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃ |
Kekonduksian terma | 300W·m-1·K-1 |
Pengembangan Terma(CTE) | 4.5×10-6K-1 |