Susceptor Penyepuhlindapan Terma Pantas

VeTek Semiconductor ialah pengilang dan inovator Susceptor Penyepuhan Terma Rapid terkemuka di China. Kami telah mengkhususkan diri dalam bahan salutan SiC selama bertahun-tahun. kilang di China.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

VeTek Semiconductor Rapid Thermal Annealing Susceptor mempunyai kualiti tinggi dan jangka hayat yang panjang, dialu-alukan untuk menyiasat kami.

Rapid Thermal Anneal (RTA) ialah subset penting Pemprosesan Terma Rapid yang digunakan dalam fabrikasi peranti semikonduktor. Ia melibatkan pemanasan wafer individu untuk mengubah suai sifat elektriknya melalui pelbagai rawatan haba yang disasarkan. Proses RTA membolehkan pengaktifan dopan, pengubahan antara muka substrat filem-ke-filem atau filem-ke-wafer, ketumpatan filem termendap, pengubahsuaian keadaan filem tumbuh, pembaikan kerosakan implantasi ion, pergerakan dopan, dan pemacu dopan antara filem atau ke dalam substrat wafer.

Produk VeTek Semiconductor, Rapid Thermal Annealing Susceptor, memainkan peranan penting dalam proses RTP. Ia dibina menggunakan bahan grafit ketulenan tinggi dengan salutan pelindung silikon karbida (SiC) lengai. Substrat silikon bersalut SiC boleh menahan suhu sehingga 1100°C, memastikan prestasi yang boleh dipercayai walaupun dalam keadaan yang melampau. Salutan SiC memberikan perlindungan yang sangat baik terhadap kebocoran gas dan penumpahan zarah, memastikan jangka hayat produk.

Untuk mengekalkan kawalan suhu yang tepat, cip dikapsulkan di antara dua komponen grafit ketulenan tinggi yang disalut dengan SiC. Pengukuran suhu yang tepat boleh diperoleh melalui penderia suhu tinggi bersepadu atau termokopel yang bersentuhan dengan substrat.

Sifat fizikal asas salutan CVD SiC:

Sifat fizikal asas salutan SiC CVD
Harta benda	Nilai Biasa
Struktur Kristal	polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111).
Ketumpatan	3.21 g/cm³
Kekerasan	2500 Vickers kekerasan（500g beban）
Saiz bijirin	2~10μm
Ketulenan Kimia	99.99995%
Kapasiti Haba	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lenturan	415 MPa RT 4 mata
Modulus Muda	430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃
Kekonduksian terma	300W·m-1·K-1
Pengembangan Terma(CTE)	4.5×10-6K-1