Susceptor MOCVD Bersalut SiC

Susceptor MOCVD Bersalut SiC Semiconductor VeTek ialah peranti dengan proses yang sangat baik, ketahanan dan kebolehpercayaan. Mereka boleh menahan suhu tinggi dan persekitaran kimia, mengekalkan prestasi yang stabil dan jangka hayat yang panjang, dengan itu mengurangkan kekerapan penggantian dan penyelenggaraan serta meningkatkan kecekapan pengeluaran. MOCVD Epitaxial Susceptor kami terkenal dengan ketumpatan tinggi, kerataan yang sangat baik dan kawalan haba yang sangat baik, menjadikannya peralatan pilihan dalam persekitaran pembuatan yang keras. Tidak sabar-sabar untuk bekerjasama dengan anda.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Cari banyak pilihan SiC CoatedPenerima MOCVDdari China di VeTek Semiconductor. Menyediakan perkhidmatan selepas jualan profesional dan harga yang sesuai, mengharapkan kerjasama.

Semikonduktor VeTekSuseptor Epitaxial MOCVDdireka bentuk untuk menahan persekitaran suhu tinggi dan keadaan kimia yang keras yang biasa dalam proses pengeluaran wafer. Melalui kejuruteraan ketepatan, komponen ini disesuaikan untuk memenuhi keperluan ketat sistem reaktor epitaxial. Susceptor Epitaxial MOCVD kami diperbuat daripada substrat grafit berkualiti tinggi yang disalut dengan lapisansilikon karbida (SiC), yang bukan sahaja mempunyai suhu tinggi yang sangat baik dan rintangan kakisan, tetapi juga memastikan pengagihan haba seragam, yang penting untuk mengekalkan pemendapan filem epitaxial yang konsisten.

Di samping itu, susceptor semikonduktor kami mempunyai prestasi terma yang sangat baik, yang membolehkan kawalan suhu yang pantas dan seragam untuk mengoptimumkan proses pertumbuhan semikonduktor. Mereka mampu menahan serangan suhu tinggi, pengoksidaan, dan kakisan, memastikan operasi yang boleh dipercayai walaupun dalam persekitaran operasi yang paling mencabar.

Selain itu, Susceptors MOCVD Bersalut SiC direka bentuk dengan tumpuan pada keseragaman, yang penting untuk mencapai substrat kristal tunggal berkualiti tinggi. Pencapaian kerataan adalah penting untuk mencapai pertumbuhan kristal tunggal yang sangat baik pada permukaan wafer.

Di VeTek Semiconductor, semangat kami untuk melebihi piawaian industri adalah sama pentingnya dengan komitmen kami terhadap keberkesanan kos untuk rakan kongsi kami. Kami berusaha untuk menyediakan produk seperti MOCVD Epitaxial Susceptor untuk memenuhi keperluan pembuatan semikonduktor yang sentiasa berubah dan menjangka trend pembangunannya untuk memastikan operasi anda dilengkapi dengan alatan yang paling canggih. Kami tidak sabar-sabar untuk membina perkongsian jangka panjang dengan anda dan memberikan anda penyelesaian yang berkualiti.

Parameter produk bagi Susceptor MOCVD Bersalut SiC:

Sifat fizikal asas salutan SiC CVD
Harta benda	Nilai Biasa
Struktur Kristal	Polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111).
Ketumpatan	3.21 g/cm³
Kekerasan	2500 Vickers kekerasan（500g beban）
Saiz Bijirin	2~10μm
Ketulenan Kimia	99.99995%
Kapasiti Haba	640 J·kg^-1·K^-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lentur	415 MPa RT 4 mata
Modulus Muda	430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃
Kekonduksian Terma	300W·m^-1·K^-1
Pengembangan Terma(CTE)	4.5×10^-6K^-1