Crucible untuk Monocrystalline Silicon

Dalam kaedah CZ (Czochralski), satu kristal ditanam dengan membawa benih monohabluran bersentuhan dengan silikon polihablur cair. Biji benih ditarik secara beransur-ansur ke atas sambil diputar perlahan. Dalam proses ini, sejumlah besar bahagian grafit digunakan, menjadikannya kaedah yang menggunakan kuantiti komponen grafit tertinggi dalam pembuatan semikonduktor silikon.

Gambar di bawah memberikan gambaran skematik relau pembuatan kristal tunggal silikon berdasarkan kaedah CZ.

Vetek Semiconductor's Crucible untuk Monocrystalline Silicon menyediakan persekitaran yang stabil dan terkawal yang penting untuk pembentukan kristal semikonduktor yang tepat. Ia memainkan peranan penting dalam mengembangkan jongkong silikon monohabluran menggunakan teknik canggih seperti proses Czochralski dan kaedah zon apungan, yang penting untuk menghasilkan bahan berkualiti tinggi untuk peranti elektronik.

Kejuruteraan untuk kestabilan haba yang luar biasa, rintangan kakisan kimia dan pengembangan haba yang minimum, pijar ini memastikan ketahanan dan keteguhan. Ia direka bentuk untuk menahan persekitaran kimia yang keras tanpa menjejaskan integriti atau prestasi struktur, dengan itu memanjangkan jangka hayat crucible dan mengekalkan prestasi yang konsisten berbanding penggunaan yang berpanjangan.

Komposisi unik Vetek Semiconductor Crucibles untuk silikon monohabluran membolehkan mereka bertahan dalam keadaan melampau pemprosesan suhu tinggi. Ini menjamin kestabilan dan ketulenan haba yang luar biasa, yang penting untuk pemprosesan semikonduktor. Komposisi ini juga memudahkan pemindahan haba yang cekap, menggalakkan penghabluran seragam dan meminimumkan kecerunan terma dalam cair silikon.

Kelebihan Susceptor Salutan SiC kami:

Perlindungan Bahan Asas: Salutan SiC CVD bertindak sebagai lapisan pelindung semasa proses epitaxial, dengan berkesan melindungi bahan asas daripada hakisan dan kerosakan yang disebabkan oleh persekitaran luaran. Langkah perlindungan ini memanjangkan hayat perkhidmatan peralatan.

Kekonduksian Terma Cemerlang: Salutan SiC CVD kami mempunyai kekonduksian terma yang luar biasa, memindahkan haba dari bahan asas ke permukaan salutan dengan cekap. Ini meningkatkan kecekapan pengurusan haba semasa epitaksi, memastikan suhu operasi optimum untuk peralatan.

Kualiti Filem yang Dipertingkatkan: Salutan SiC CVD menyediakan permukaan yang rata dan seragam, mewujudkan asas yang ideal untuk pertumbuhan filem. Ia mengurangkan kecacatan akibat ketidakpadanan kekisi, meningkatkan kehabluran dan kualiti filem epitaxial, dan akhirnya meningkatkan prestasi dan kebolehpercayaannya.

Pilih Susceptor Salutan SiC kami untuk keperluan pengeluaran wafer epitaxial anda, dan manfaatkan perlindungan yang dipertingkatkan, kekonduksian terma yang unggul dan kualiti filem yang dipertingkatkan. Percaya kepada penyelesaian inovatif VeTek Semiconductor untuk memacu kejayaan anda dalam industri semikonduktor.

Kedai pengeluaran:

Gambaran keseluruhan rantaian industri epitaksi cip semikonduktor: