Skirt Bersalut SiC CVD

VeTek Semiconductor ialah pengeluar terkemuka, inovator dan peneraju Pelapisan SiC CVD dan Salutan TAC di China. Selama bertahun-tahun, kami telah memberi tumpuan kepada pelbagai produk Salutan SiC CVD seperti Skirt bersalut CVD SiC, Cincin Salutan CVD SiC, pembawa Salutan SiC CVD, dan lain-lain. VeTek Semiconductor menyokong perkhidmatan produk tersuai dan harga produk yang memuaskan, dan mengharapkan anda selanjutnya perundingan.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Vetek Semiconductor ialah pengilang profesional untuk skirt bersalut CVD SiC di China.

Teknologi epitaksi ultraungu dalam peralatan Aixtron memainkan peranan penting dalam pembuatan semikonduktor. Teknologi ini menggunakan sumber cahaya ultraungu yang mendalam untuk mendepositkan pelbagai bahan pada permukaan wafer melalui pertumbuhan epitaxial untuk mencapai kawalan yang tepat terhadap prestasi dan fungsi wafer. Teknologi epitaksi ultraungu yang mendalam digunakan dalam pelbagai aplikasi, meliputi pengeluaran pelbagai peranti elektronik daripada led kepada laser semikonduktor.

Dalam proses ini, skirt bersalut CVD SiC memainkan peranan penting. Ia direka bentuk untuk menyokong lembaran epitaxial dan memacu lembaran epitaxial untuk berputar untuk memastikan keseragaman dan kestabilan semasa pertumbuhan epitaxial. Dengan mengawal kelajuan putaran dan arah susceptor grafit dengan tepat, proses pertumbuhan pembawa epitaxial boleh dikawal dengan tepat.

Produk ini diperbuat daripada salutan grafit dan silikon karbida berkualiti tinggi, memastikan prestasi cemerlang dan hayat perkhidmatan yang panjang. Bahan grafit yang diimport memastikan kestabilan dan kebolehpercayaan produk, supaya ia boleh berfungsi dengan baik dalam pelbagai persekitaran kerja. Dari segi salutan, bahan silikon karbida kurang daripada 5ppm digunakan untuk memastikan keseragaman dan kestabilan salutan. Pada masa yang sama, proses baru dan pekali pengembangan haba bahan grafit membentuk padanan yang baik, meningkatkan rintangan suhu tinggi produk dan rintangan kejutan haba, supaya ia masih dapat mengekalkan prestasi yang stabil dalam persekitaran suhu tinggi.

Sifat fizikal asas Skirt Bersalut CVD SiC:

Sifat fizikal asas salutan SiC CVD
Harta benda	Nilai Biasa
Struktur Kristal	polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111).
Ketumpatan	3.21 g/cm³
Kekerasan	2500 Vickers kekerasan（500g beban）
Saiz Bijirin	2~10μm
Ketulenan Kimia	99.99995%
Kapasiti Haba	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lentur	415 MPa RT 4 mata
Modulus Muda	430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃
Kekonduksian Terma	300W·m-1·K-1
Pengembangan Terma(CTE)	4.5×10-6K-1