Suseptor salutan MOCVD SiC

Semikonduktor VeTekMOCVD SiC Coating Susceptor diperbuat daripada kualiti tinggigrafit, yang dipilih untuk kestabilan terma dan kekonduksian terma yang sangat baik (kira-kira 120-150 W/m·K). Ciri-ciri yang wujud grafit menjadikannya bahan yang ideal untuk menahan keadaan yang keras di dalamnyareaktor MOCVD. Untuk meningkatkan prestasinya dan memanjangkan hayat perkhidmatannya, suseptor grafit disalut dengan teliti dengan lapisan silikon karbida (SiC).

Susceptor Salutan SiC MOCVD ialah komponen utama yang digunakan dalampemendapan wap kimia (CVD)danproses pemendapan wap kimia organik logam (MOCVD).. Fungsi utamanya adalah untuk menyokong dan memanaskan wafer silikon atau silikon karbida (SiC) dan memastikan pemendapan gas seragam dalam persekitaran suhu tinggi. Ia adalah produk yang sangat diperlukan dalam pemprosesan semikonduktor.

Aplikasi susceptor salutan MOCVD SiC dalam pemprosesan semikonduktor:

Sokongan wafer dan pemanasan:

Susceptor salutan MOCVD SiC bukan sahaja mempunyai fungsi sokongan yang kuat, tetapi juga boleh memanaskan dengan berkesanwafersama rata untuk memastikan kestabilan proses pemendapan wap kimia. Semasa proses pemendapan, kekonduksian terma yang tinggi bagi salutan SiC boleh dengan cepat memindahkan tenaga haba ke setiap kawasan wafer, mengelakkan terlalu panas setempat atau suhu tidak mencukupi, dengan itu memastikan gas kimia boleh dimendapkan secara sama rata pada permukaan wafer. Kesan pemanasan dan pemendapan seragam ini sangat meningkatkan ketekalan pemprosesan wafer, menjadikan ketebalan filem permukaan setiap wafer seragam dan mengurangkan kadar kecacatan, meningkatkan lagi hasil pengeluaran dan kebolehpercayaan prestasi peranti semikonduktor.

Pertumbuhan Epitaksi:

DalamProses MOCVD, pembawa bersalut SiC adalah komponen utama dalam proses pertumbuhan epitaksi. Ia digunakan secara khusus untuk menyokong dan memanaskan wafer silikon dan silikon karbida, memastikan bahan dalam fasa wap kimia boleh dimendapkan secara seragam dan tepat pada permukaan wafer, dengan itu membentuk struktur filem nipis yang berkualiti tinggi dan bebas kecacatan. Salutan SiC bukan sahaja tahan terhadap suhu tinggi, tetapi juga mengekalkan kestabilan kimia dalam persekitaran proses yang kompleks untuk mengelakkan pencemaran dan kakisan. Oleh itu, pembawa bersalut SiC memainkan peranan penting dalam proses pertumbuhan epitaksi peranti semikonduktor berketepatan tinggi seperti peranti kuasa SiC (seperti MOSFET dan diod SiC), LED (terutamanya LED biru dan ultraviolet), dan sel solar fotovoltaik.

Gallium Nitride (GaN)dan Epitaksi Gallium Arsenide (GaAs).:

Pembawa bersalut SiC adalah pilihan yang sangat diperlukan untuk pertumbuhan lapisan epitaxial GaN dan GaAs kerana kekonduksian terma yang sangat baik dan pekali pengembangan haba yang rendah. Kekonduksian haba yang cekap boleh mengagihkan haba secara sama rata semasa pertumbuhan epitaxial, memastikan setiap lapisan bahan termendap boleh tumbuh secara seragam pada suhu terkawal. Pada masa yang sama, pengembangan terma rendah SiC membolehkannya kekal stabil dari segi dimensi di bawah perubahan suhu yang melampau, dengan berkesan mengurangkan risiko ubah bentuk wafer, dengan itu memastikan kualiti tinggi dan konsistensi lapisan epitaxial. Ciri ini menjadikan pembawa bersalut SiC sebagai pilihan ideal untuk mengeluarkan peranti elektronik berkuasa tinggi frekuensi tinggi (seperti peranti GaN HEMT) dan komunikasi optik dan peranti optoelektronik (seperti laser dan pengesan berasaskan GaAs).

Semikonduktor VeTekKedai susceptor salutan MOCVD SiC: