Resipi Pemendapan Lapisan Atom ALD

ALD Spatial, pemendapan lapisan atom terpencil secara ruang. Wafer bergerak antara kedudukan yang berbeza dan terdedah kepada prekursor yang berbeza pada setiap kedudukan. Rajah di bawah ialah perbandingan antara ALD tradisional dan ALD terpencil secara spatial.

ALD sementara,pemendapan lapisan atom terpencil sementara. Wafer dibetulkan dan prekursor dimasukkan dan dikeluarkan secara bergantian di dalam ruang. Kaedah ini boleh memproses wafer dalam persekitaran yang lebih seimbang, dengan itu meningkatkan hasil, seperti kawalan yang lebih baik terhadap julat dimensi kritikal. Rajah di bawah ialah gambarajah skema ALD Temporal.

Hentikan injap, tutup injap. Biasa digunakan dalam，resipi, digunakan untuk menutup injap ke pam vakum, atau membuka injap henti ke pam vakum.

Prekursor, prekursor. Dua atau lebih, setiap satu mengandungi unsur-unsur filem termendap yang dikehendaki, diserap secara berselang-seli pada permukaan substrat, dengan hanya satu prekursor pada satu masa, bebas antara satu sama lain. Setiap prekursor menepu permukaan substrat untuk membentuk satu lapisan. Prekursor boleh dilihat dalam rajah di bawah.

Pembersihan, juga dikenali sebagai pemurnian. Gas pembersihan biasa, gas pembersihan.Pemendapan lapisan atomialah kaedah memendapkan filem nipis dalam lapisan atom dengan meletakkan dua atau lebih bahan tindak balas secara berurutan ke dalam ruang tindak balas untuk membentuk filem nipis melalui penguraian dan penjerapan setiap bahan tindak balas. Iaitu, gas tindak balas pertama dibekalkan secara berdenyut untuk memendap secara kimia di dalam ruang, dan sisa gas tindak balas pertama yang terikat secara fizikal dikeluarkan dengan pembersihan. Kemudian, gas tindak balas kedua juga membentuk ikatan kimia dengan gas tindak balas pertama sebahagiannya melalui proses nadi dan pembersihan, dengan itu mendepositkan filem yang dikehendaki pada substrat. Pembersihan boleh dilihat dalam rajah di bawah.

Kitaran. Dalam proses pemendapan lapisan atom, masa untuk setiap gas tindak balas berdenyut dan dibersihkan sekali dipanggil kitaran.

Epitaksi Lapisan Atom.Istilah lain untuk pemendapan lapisan atom.

Trimethylaluminum, disingkatkan sebagai TMA, trimethylaluminum. Dalam pemendapan lapisan atom, TMA sering digunakan sebagai prekursor untuk membentuk Al2O3. Biasanya, TMA dan H2O membentuk Al2O3. Selain itu, TMA dan O3 membentuk Al2O3. Rajah di bawah ialah gambarajah skema pemendapan lapisan atom Al2O3, menggunakan TMA dan H2O sebagai prekursor.

3-Aminopropyltriethoxysilane, dirujuk sebagai APTES, 3-aminopropyltriethoxysilane. Dalampemendapan lapisan atom, APTES sering digunakan sebagai prekursor untuk membentuk SiO2. Biasanya, APTES, O3 dan H2O membentuk SiO2. Rajah di bawah ialah gambarajah skematik APTES.