ALD Planetary Susceptor

Proses ALD, bermaksud proses Epitaksi Lapisan Atom. Pengeluar sistem Vetek Semiconductor dan ALD telah membangunkan dan mengeluarkan SiC bersalut ALD Planetary Susceptors yang memenuhi keperluan tinggi proses ALD untuk mengagihkan aliran udara secara sama rata ke atas substrat. Pada masa yang sama, salutan CVD SiC ketulenan tinggi Vetek Semiconductor memastikan ketulenan dalam proses. Dialu-alukan untuk membincangkan kerjasama dengan kami.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Sebagai pengilang profesional, Vetek Semiconductor ingin memberikan anda SiC coated ALD Planetary Susceptor.

Proses ALD, yang dikenali sebagai Epitaxy Lapisan Atom, berdiri sebagai kemuncak ketepatan dalam teknologi pemendapan filem nipis. Vetek Semiconductor, dengan kerjasama pengeluar sistem ALD terkemuka, telah mempelopori pembangunan dan pembuatan susceptor Planetary ALD bersalut SiC termaju. Susceptor inovatif ini telah direka bentuk dengan teliti untuk mengatasi permintaan ketat proses ALD, memastikan pengagihan seragam aliran udara merentasi substrat dengan ketepatan dan kecekapan yang tiada tandingan.

Selain itu, komitmen Vetek Semiconductor terhadap kecemerlangan dicontohi oleh penggunaan salutan SiC CVD ketulenan tinggi, menjamin tahap ketulenan yang penting untuk kejayaan setiap kitaran pemendapan. Dedikasi terhadap kualiti ini bukan sahaja meningkatkan kebolehpercayaan proses tetapi juga meningkatkan prestasi keseluruhan dan kebolehulangan proses ALD dalam pelbagai aplikasi.

ALD System

Kelebihan Gambaran Keseluruhan Teknologi ALD:

Kawalan Ketebalan Tepat: Mencapai ketebalan filem sub-nanometer dengan kebolehulangan yang sangat baik dengan mengawal kitaran pemendapan.

Kelicinan Permukaan: Kesesuaian 3D yang sempurna dan liputan langkah 100% memastikan salutan licin yang mengikut kelengkungan substrat sepenuhnya.

Kebolehgunaan Luas: Boleh disalut pada pelbagai objek daripada wafer hingga serbuk, sesuai untuk substrat sensitif.

Sifat Bahan Boleh Disesuaikan: Penyesuaian mudah sifat bahan untuk oksida, nitrida, logam, dsb.

Tetingkap Proses Luas: Ketidakpekaan terhadap variasi suhu atau prekursor, kondusif untuk pengeluaran kelompok dengan keseragaman ketebalan salutan yang sempurna.

Kami dengan hormatnya menjemput anda untuk terlibat dalam dialog dengan kami untuk meneroka potensi kerjasama dan perkongsian. Bersama-sama, kita boleh membuka kunci kemungkinan baharu dan memacu inovasi dalam bidang teknologi pemendapan filem nipis.

Sifat fizikal asas salutan CVD SiC:

CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE

Sifat fizikal asas salutan SiC CVD
Harta benda	Nilai Biasa
Struktur Kristal	Polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111).
Ketumpatan	3.21 g/cm³
Kekerasan	2500 Vickers kekerasan（500g beban）
Saiz Bijirin	2~10μm
Ketulenan Kimia	99.99995%
Kapasiti Haba	640 J·kg^-1·K^-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lentur	415 MPa RT 4 mata
Modulus Muda	430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃
Kekonduksian Terma	300W·m^-1·K^-1
Pengembangan Terma(CTE)	4.5×10^-6K^-1