Pengilangan cip: Aliran proses MOSFET

Proses pembuatan cip termasuk fotolitografi,goresan, penyebaran, filem nipis, implantasi ion, penggilap mekanikal kimia, pembersihan, dsb. Rencana ini menerangkan secara kasar cara proses ini disepadukan dalam urutan untuk mengeluarkan MOSFET.

1. Kami terlebih dahulu mempunyai asubstratdengan ketulenan silikon sehingga 99.9999999%.

2. Tumbuhkan lapisan filem oksida pada substrat kristal silikon.

3. Photoresist spin-coat secara sekata.

4.Fotolithography dilakukan melalui photomask untuk memindahkan corak pada photomask kepada photoresist.

5. Photoresist di kawasan fotosensitif dihanyutkan selepas pembangunan.

6. Goreskan filem oksida yang tidak dilindungi oleh photoresist melalui etsa, supaya corak fotolitografi dipindahkan kewafer.

7. Bersihkan dan keluarkan lebihan photoresist.

8. Sapukan lagi nipisfilem oksida. Selepas itu, melalui fotolitografi dan etsa di atas, hanya filem oksida di kawasan pintu yang dikekalkan.

9. Tumbuhkan lapisan polisilikon di atasnya

10. Seperti dalam langkah 7, gunakan fotolitografi dan goresan untuk mengekalkan hanya polysilicon pada lapisan get oksida.

11. Tutup lapisan oksida dan gerbang dengan pembersihan fotolitografi, supaya keseluruhan wafer adalahtertanam ion, dan akan ada sumber dan longkang.

12. Tumbuhkan lapisan filem penebat pada wafer.

13. Goreskan lubang sesentuh sumber, gerbang dan longkang dengan fotolitografi dan etsa.

14. Kemudian masukkan logam di kawasan terukir, supaya terdapat wayar logam konduktif untuk punca, pintu dan longkang.

Akhirnya, MOSFET yang lengkap dihasilkan melalui gabungan pelbagai proses.

Malah, lapisan bawah cip terdiri daripada sejumlah besar transistor.

Gambar rajah pembuatan MOSFET, sumber, pintu, longkang

Pelbagai transistor membentuk get logik

Gerbang logik membentuk unit aritmetik

Akhirnya, ia adalah cip sebesar kuku