Separuh Bulan Bawah Grafit Ultra Tulen

VeTek Semiconductor ialah pembekal terkemuka bagi Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon tersuai di China, yang mengkhusus dalam bahan termaju selama bertahun-tahun. Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon kami direka khusus untuk peralatan epitaxial SiC, memastikan prestasi cemerlang. Diperbuat daripada grafit import ultra tulen, ia menawarkan kebolehpercayaan dan ketahanan. Lawati kilang kami di China untuk menerokai Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon berkualiti tinggi kami secara langsung.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

VeTek Semiconductor ialah pengilang profesional yang berdedikasi untuk menyediakan Separuh Bulan Bawah Grafit Tulen Ultra Tulen. Produk kami Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon direka khusus untuk ruang epitaxial SiC dan menawarkan prestasi unggul serta keserasian dengan pelbagai model peralatan.

Ciri-ciri:

Sambungan: VeTek Semiconductor Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon direka untuk menyambung dengan tiub kuarza, memudahkan aliran gas untuk memacu putaran pangkalan pembawa.

Kawalan Suhu: Produk membenarkan kawalan suhu, memastikan keadaan optimum dalam ruang tindak balas.

Reka Bentuk Bukan Kenalan: Dipasang di dalam ruang tindak balas, Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon kami tidak terus menghubungi wafer, memastikan integriti proses.

Senario Aplikasi:

Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon kami berfungsi sebagai komponen kritikal dalam ruang epitaxial SiC, di mana ia membantu mengekalkan kandungan kekotoran di bawah 5 ppm. Dengan memantau parameter seperti ketebalan dan keseragaman kepekatan doping, kami memastikan lapisan epitaxial berkualiti tinggi.

Keserasian:

Separuh Bawah Grafit Ultra Tulen Semikonduktor VeTek serasi dengan pelbagai model peralatan, termasuk LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH dan sebagainya.

Kami menjemput anda untuk melawat kilang kami di China untuk menerokai Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon berkualiti tinggi kami secara langsung.

Sifat fizikal asas salutan CVD SiC:

Sifat fizikal asas salutan SiC CVD
Harta benda	Nilai Biasa
Struktur Kristal	Polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111).
Ketumpatan	3.21 g/cm³
Kekerasan	Kekerasan 2500 Vickers（500g beban）
Saiz bijirin	2~10μm
Ketulenan Kimia	99.99995%
Kapasiti Haba	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lenturan	415 MPa RT 4 mata
Modulus Muda	430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃
Kekonduksian terma	300W·m-1·K-1
Pengembangan Terma(CTE)	4.5×10-6K-1