Bahagian Halfmoon Atas Bersalut SiC

VeTek Semiconductor ialah pembekal terkemuka bagi bahagian SiC Bahagian Halfmoon Atas yang disesuaikan di China, yang mengkhusus dalam bahan termaju selama lebih 20 tahun. VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part SiC bersalut direka khusus untuk peralatan epitaxial SiC, berfungsi sebagai komponen penting dalam ruang tindak balas. Diperbuat daripada grafit gred semikonduktor ultra tulen, ia memastikan prestasi cemerlang. Kami menjemput anda untuk melawat kilang kami di China.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Sebagai pengilang profesional, kami ingin memberikan anda berkualiti tinggi Bahagian Halfmoon Bahagian SiC bersalut.

VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part SiC bersalut direka khusus untuk ruang epitaxial SiC. Mereka mempunyai pelbagai aplikasi dan serasi dengan pelbagai model peralatan.

Senario Aplikasi:

Di VeTek Semiconductor, kami pakar dalam pembuatan bersalut SiC Bahagian Halfmoon Atas berkualiti tinggi. Produk bersalut SiC dan TaC kami direka khusus untuk ruang epitaxial SiC dan menawarkan keserasian luas dengan model peralatan yang berbeza.

VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part SiC bersalut berfungsi sebagai komponen dalam ruang epitaxial SiC. Mereka memastikan keadaan suhu terkawal dan sentuhan tidak langsung dengan wafer, mengekalkan kandungan kekotoran di bawah 5 ppm.

Untuk memastikan kualiti lapisan epitaxial yang optimum, kami memantau dengan teliti parameter kritikal seperti ketebalan dan keseragaman kepekatan doping. Penilaian kami termasuk menganalisis ketebalan filem, kepekatan pembawa, keseragaman dan data kekasaran permukaan untuk mencapai kualiti produk terbaik.

VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part SiC bersalut serasi dengan pelbagai model peralatan, termasuk LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH dan banyak lagi.

Hubungi kami hari ini untuk meneroka bahagian SiC Bahagian Halfmoon Atas berkualiti tinggi kami atau jadualkan lawatan ke kilang kami.

Sifat fizikal asas salutan CVD SiC:

Sifat fizikal asas salutan SiC CVD
Harta benda	Nilai Biasa
Struktur Kristal	polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111).
Ketumpatan	3.21 g/cm³
Kekerasan	2500 Vickers kekerasan（500g beban）
Saiz bijirin	2~10μm
Ketulenan Kimia	99.99995%
Kapasiti Haba	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lenturan	415 MPa RT 4 mata
Modulus Muda	430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃
Kekonduksian terma	300W·m-1·K-1
Pengembangan Terma(CTE)	4.5×10-6K-1