Pembawa Wafer Epitaksi Silikon Karbida

VeTek Semiconductor ialah pembekal Silicon Carbide Epitaxy Wafer Carrier tersuai terkemuka di China. Kami telah mengkhususkan diri dalam bahan termaju lebih daripada 20 tahun. Kami menawarkan Silicon Carbide Epitaxy Wafer Carrier untuk membawa substrat SiC, mengembangkan lapisan epitaksi SiC dalam reaktor epitaxial SiC. Pembawa Wafer Epitaxy Silicon Carbide ini adalah bahagian bersalut SiC yang penting pada bahagian halfmoon, rintangan suhu tinggi, rintangan pengoksidaan, rintangan haus. Kami mengalu-alukan anda untuk melawat kilang kami di China.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Sebagai pengilang profesional, kami ingin memberikan anda Pembawa Wafer Epitaksi Silikon Karbida berkualiti tinggi.

Pembawa Wafer Epitaksi Epitaksi Semikonduktor Semikonduktor Silikon Karbida VeTek direka khusus untuk ruang epitaksi SiC. Mereka mempunyai pelbagai aplikasi dan serasi dengan pelbagai model peralatan.

Senario Aplikasi:

Pembawa Wafer Epitaksi Semikonduktor Silikon Karbida VeTek digunakan terutamanya dalam proses pertumbuhan lapisan epitaksi SiC. Aksesori ini diletakkan di dalam reaktor epitaksi SiC, di mana ia bersentuhan langsung dengan substrat SiC. Parameter kritikal untuk lapisan epitaxial ialah ketebalan dan keseragaman kepekatan doping. Oleh itu, kami menilai prestasi dan keserasian aksesori kami dengan memerhati data seperti ketebalan filem, kepekatan pembawa, keseragaman dan kekasaran permukaan.

penggunaan:

Bergantung pada peralatan dan proses, produk kami boleh mencapai sekurang-kurangnya 5000 um ketebalan lapisan epitaxial dalam konfigurasi setengah bulan 6 inci. Nilai ini berfungsi sebagai rujukan, dan hasil sebenar mungkin berbeza-beza.

Model Peralatan yang Serasi:

Bahagian grafit bersalut silikon karbida Semikonduktor VeTek serasi dengan pelbagai model peralatan, termasuk LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH dan lain-lain.

Sifat fizikal asas salutan CVD SiC:

Sifat fizikal asas salutan SiC CVD
Harta benda	Nilai Biasa
Struktur Kristal	Polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111).
Ketumpatan	3.21 g/cm³
Kekerasan	2500 Vickers kekerasan（500g beban）
Saiz bijirin	2~10μm
Ketulenan Kimia	99.99995%
Kapasiti Haba	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lenturan	415 MPa RT 4 mata
Modulus Muda	430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃
Kekonduksian terma	300W·m-1·K-1
Pengembangan Terma(CTE)	4.5×10-6K-1