Berita Industri

Apakah pertumbuhan epitaxial terkawal langkah？

Masalah dalam Proses Etsa

Teknologi etsa dalam pembuatan semikonduktor sering menghadapi masalah seperti kesan pemuatan, kesan alur mikro dan kesan pengecasan, yang menjejaskan kualiti produk. Penyelesaian penambahbaikan termasuk mengoptimumkan ketumpatan plasma, melaraskan komposisi gas tindak balas, meningkatkan kecekapan ......

Apakah seramik SiC yang ditekan panas?

Pensinteran menekan panas adalah kaedah utama untuk menyediakan seramik SiC berprestasi tinggi. Proses pensinteran menekan panas termasuk: memilih serbuk SiC ketulenan tinggi, menekan dan membentuk di bawah suhu tinggi dan tekanan tinggi, dan kemudian pensinteran. Seramik SiC yang disediakan dengan ......

Penggunaan bahan medan haba berasaskan karbon dalam pertumbuhan kristal karbida silikon

Kaedah pertumbuhan utama silikon karbida (SiC) termasuk PVT, TSSG dan HTCVD, masing-masing mempunyai kelebihan dan cabaran yang berbeza. Bahan medan haba berasaskan karbon seperti sistem penebat, pijar, salutan TaC dan grafit berliang meningkatkan pertumbuhan kristal dengan memberikan kestabilan, ke......

Mengapa salutan SiC menerima begitu banyak perhatian? - Semikonduktor VeTek

SiC mempunyai kekerasan yang tinggi, kekonduksian terma, dan rintangan kakisan, menjadikannya sesuai untuk pembuatan semikonduktor. Salutan SiC CVD dicipta melalui pemendapan wap kimia, memberikan kekonduksian terma yang tinggi, kestabilan kimia, dan pemalar kekisi yang sepadan untuk pertumbuhan epi......

Mengapakah 3C-SiC menonjol di antara banyak polimorf SiC? - Semikonduktor VeTek

Silikon karbida (SiC) ialah bahan semikonduktor berketepatan tinggi yang terkenal dengan sifat cemerlangnya seperti rintangan suhu tinggi, rintangan kakisan dan kekuatan mekanikal yang tinggi. Ia mempunyai lebih 200 struktur kristal, dengan 3C-SiC menjadi satu-satunya jenis kubik, menawarkan sfera s......