Dalam industri pembuatan semikonduktor, apabila saiz peranti terus mengecil, teknologi pemendapan bahan filem nipis telah menimbulkan cabaran yang tidak pernah berlaku sebelum ini. Pemendapan Lapisan Atom (ALD), sebagai teknologi pemendapan filem nipis yang boleh mencapai kawalan tepat pada peringka......
Baca LagiIa sesuai untuk membina litar bersepadu atau peranti semikonduktor pada lapisan asas kristal yang sempurna. Proses epitaksi (epi) dalam pembuatan semikonduktor bertujuan untuk mendepositkan lapisan kristal tunggal yang halus, biasanya kira-kira 0.5 hingga 20 mikron, pada substrat kristal tunggal. Pr......
Baca LagiPerbezaan utama antara pemendapan lapisan epitaksi dan atom (ALD) terletak pada mekanisme pertumbuhan filem dan keadaan operasi mereka. Epitaksi merujuk kepada proses mengembangkan filem nipis kristal pada substrat kristal dengan hubungan orientasi tertentu, mengekalkan struktur kristal yang sama at......
Baca LagiSalutan TAC CVD adalah proses untuk membentuk salutan padat dan tahan lama pada substrat (grafit). Kaedah ini melibatkan pemendapan TaC pada permukaan substrat pada suhu tinggi, menghasilkan salutan tantalum karbida (TaC) dengan kestabilan terma yang sangat baik dan rintangan kimia.
Baca Lagi