Dalam pertumbuhan kristal tunggal SiC dan AlN menggunakan kaedah pengangkutan wap fizikal (PVT), komponen penting seperti mangkuk pijar, pemegang benih, dan cincin pemandu memainkan peranan penting. Seperti yang digambarkan dalam Rajah 2 [1], semasa proses PVT, kristal benih diletakkan di kawasan su......
Baca LagiSubstrat silikon karbida mempunyai banyak kecacatan dan tidak boleh diproses secara langsung. Satu filem nipis kristal tunggal tertentu perlu ditanam pada mereka melalui proses epitaxial untuk membuat wafer cip. Filem nipis ini ialah lapisan epitaxial. Hampir semua peranti silikon karbida direalisas......
Baca LagiBahan lapisan epitaxial silikon karbida ialah karbida silikon, yang biasanya digunakan untuk mengeluarkan peranti elektronik berkuasa tinggi dan LED. Ia digunakan secara meluas dalam industri semikonduktor kerana kestabilan haba yang sangat baik, kekuatan mekanikal dan kekonduksian elektrik yang tin......
Baca LagiSilikon karbida pepejal mempunyai sifat yang sangat baik seperti kestabilan suhu tinggi, kekerasan tinggi, rintangan lelasan yang baik, dan kestabilan kimia yang baik, jadi ia mempunyai pelbagai aplikasi. Berikut adalah beberapa aplikasi silikon karbida pepejal:
Baca Lagi