Susceptor Grafit Bersalut SiC untuk MOCVD

VeTek Semiconductor ialah pengeluar dan pembekal terkemuka SiC Coated Graphite Susceptor untuk MOCVD di China, mengkhusus dalam aplikasi salutan SiC dan produk semikonduktor epitaxial untuk industri semikonduktor. Suseptor grafit bersalut MOCVD SiC kami menawarkan kualiti dan harga yang kompetitif, memberi perkhidmatan kepada pasaran di seluruh Eropah dan Amerika. Kami komited untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda yang dipercayai dalam memajukan pembuatan semikonduktor.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Susceptor Grafit Bersalut SiC Semiconductor untuk MOCVD ialah pembawa grafit bersalut SiC ketulenan tinggi, direka khusus untuk pertumbuhan lapisan epitaxial pada cip wafer. Sebagai komponen utama dalam pemprosesan MOCVD, biasanya berbentuk gear atau cincin, ia mempunyai rintangan haba dan rintangan kakisan yang luar biasa, memastikan kestabilan dalam persekitaran yang melampau.

Ciri-ciri Utama Susceptor Grafit Bersalut SiC MOCVD:

● Salutan Tahan Serpihan: Memastikan litupan salutan SiC seragam pada semua permukaan, mengurangkan risiko detasmen zarah

● Tahan Pengoksidaan Suhu Tinggi yang Cemerlangce: Kekal stabil pada suhu sehingga 1600°C

● Ketulenan Tinggi: Dihasilkan melalui pemendapan wap kimia CVD, sesuai untuk keadaan pengklorinan suhu tinggi

● Rintangan Kakisan Unggul: Sangat tahan terhadap asid, alkali, garam dan reagen organik

● Corak Aliran Udara Laminar Dioptimumkan: Meningkatkan keseragaman dinamik aliran udara

● Pengagihan Terma Seragam: Memastikan pengagihan haba yang stabil semasa proses suhu tinggi

● Pencegahan Pencemaran: Menghalang penyebaran bahan cemar atau kekotoran, memastikan kebersihan wafer

Di VeTek Semiconductor, kami mematuhi piawaian kualiti yang ketat, menyampaikan produk dan perkhidmatan yang boleh dipercayai kepada pelanggan kami. Kami hanya memilih bahan premium, berusaha untuk memenuhi dan melebihi keperluan prestasi industri. Susceptor Grafit Bersalut SiC kami untuk MOCVD menunjukkan komitmen terhadap kualiti ini. Hubungi kami untuk mengetahui lebih lanjut tentang cara kami boleh menyokong keperluan pemprosesan wafer semikonduktor anda.

STRUKTUR KRISTAL FILEM SIC CVD:

SEM DATA OF CVD SIC FILM

Sifat fizikal asas salutan CVD SiC:

Sifat fizikal asas salutan SiC CVD
Harta benda	Nilai Biasa
Struktur Kristal	polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111).
Ketumpatan	3.21 g/cm³
Kekerasan	2500 Vickers kekerasan（500g beban）
Saiz Bijirin	2~10μm
Ketulenan Kimia	99.99995%
Kapasiti Haba	640 J·kg^-1·K^-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lentur	415 MPa RT 4 mata
Modulus Muda	430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃
Kekonduksian Terma	300W·m^-1·K^-1
Pengembangan Terma(CTE)	4.5×10^-6K^-1