VeTek Semiconductor, pengeluar terkemuka salutan CVD SiC, menawarkan Cakera Set Salutan SiC dalam Reaktor MOCVD Aixtron. Cakera Set Salutan SiC ini direka menggunakan grafit ketulenan tinggi dan mempunyai salutan SiC CVD dengan kekotoran di bawah 5ppm. Kami mengalu-alukan pertanyaan tentang produk ini.
VeTek Semiconductor ialah pengilang & pembekal salutan SiC China yang kebanyakannya menghasilkan Cakera Set Salutan SiC, pengumpul, susceptor dengan pengalaman bertahun-tahun. Semoga dapat membina hubungan perniagaan dengan anda.
Cakera Set Salutan SiC Aixtron ialah produk berprestasi tinggi yang direka untuk pelbagai aplikasi. Kit ini diperbuat daripada bahan grafit berkualiti tinggi dengan salutan silikon karbida (SiC) pelindung.
Salutan silikon karbida (SiC) pada permukaan cakera mempunyai beberapa kelebihan penting. Pertama sekali, ia sangat meningkatkan kekonduksian terma bahan grafit, mencapai pengaliran haba yang cekap dan kawalan suhu yang tepat. Ini memastikan pemanasan seragam atau penyejukan keseluruhan set cakera semasa penggunaan, menghasilkan prestasi yang konsisten.
Kedua, salutan silikon karbida (SiC) mempunyai lengai kimia yang sangat baik, menjadikan set cakera sangat tahan terhadap kakisan. Rintangan kakisan ini memastikan umur panjang dan kebolehpercayaan cakera, walaupun dalam persekitaran yang keras dan menghakis, menjadikannya sesuai untuk pelbagai senario aplikasi.
Di samping itu, salutan silikon karbida (SiC) meningkatkan ketahanan keseluruhan dan rintangan haus set cakera. Lapisan pelindung ini membantu cakera menahan penggunaan berulang, mengurangkan risiko kerosakan atau kemerosotan yang mungkin berlaku dari semasa ke semasa. Ketahanan yang dipertingkatkan memastikan prestasi jangka panjang dan kebolehpercayaan set cakera.
Cakera Set Salutan Aixtron SiC digunakan secara meluas dalam pembuatan semikonduktor, pemprosesan kimia dan makmal penyelidikan. Kekonduksian haba yang sangat baik, rintangan kimia dan ketahanan menjadikannya sesuai untuk aplikasi kritikal yang memerlukan kawalan suhu yang tepat dan persekitaran tahan kakisan.
Sifat fizikal asas salutan SiC CVD | |
Harta benda | Nilai Biasa |
Struktur Kristal | Polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111). |
Ketumpatan | 3.21 g/cm³ |
Kekerasan | 2500 Vickers kekerasan(500g beban) |
Saiz bijirin | 2~10μm |
Ketulenan Kimia | 99.99995% |
Kapasiti Haba | 640 J·kg-1·K-1 |
Suhu Sublimasi | 2700 ℃ |
Kekuatan lenturan | 415 MPa RT 4 mata |
Modulus Muda | 430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃ |
Kekonduksian terma | 300W·m-1·K-1 |
Pengembangan Terma(CTE) | 4.5×10-6K-1 |