Rumah > Produk > wafer > Wafer SiC jenis p paksi luar 4°
Wafer SiC jenis p paksi luar 4°
  • Wafer SiC jenis p paksi luar 4°Wafer SiC jenis p paksi luar 4°

Wafer SiC jenis p paksi luar 4°

VeTek Semiconductor ialah pengilang profesional Cina bagi Wafer SiC jenis p paksi luar 4°, Substrat SiC jenis 4H N dan Substrat SiC jenis Semi Penebat 4H. Antaranya, Wafer SiC jenis p paksi luar 4° ialah bahan semikonduktor khas yang digunakan dalam peranti elektronik berprestasi tinggi. VeTek Semiconductor komited untuk menyediakan penyelesaian termaju untuk pelbagai produk Wafer SiC untuk industri semikonduktor. Kami amat mengharapkan perundingan anda selanjutnya.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Sebagai pengeluar semikonduktor profesional di China, VeTek Semiconductor 4°off paksi p-jenis Wafer SiC merujuk kepada wafer silikon karbida (SiC) 4H yang menyimpang 4° daripada arah kristal utama kristal (biasanya paksi-c) apabila memotong dan menjalani doping jenis P. Produk ini biasanya digunakan dalam pembuatan peranti elektronik kuasa dan peranti frekuensi radio (RF) dalam rantaian industri semikonduktor, dan mempunyai kelebihan produk yang sangat baik.


Melalui pemotongan luar paksi, Wafer SiC jenis p paksi luar VeTek Semiconductor boleh mengurangkan kehelan dan kecacatan yang dijana dengan berkesan semasa pertumbuhan lapisan epitaxial, dengan itu meningkatkan kualiti wafer. Selain itu, orientasi Luar Paksi 4° membantu mengembangkan lapisan epitaxial yang lebih seragam dan bebas kecacatan, meningkatkan kualiti lapisan epitaxial, dan secara amnya sesuai untuk pembuatan peranti berprestasi tinggi.


Selain itu, produk Wafer SiC jenis p VeTek Semiconductor paksi 4° boleh menjadikan wafer mempunyai lebih banyak pembawa lubang dan membentuk semikonduktor jenis P dengan mendopan kekotoran penerima (seperti aluminium atau boron). Wafer 4H-SiC jenis P sering digunakan dalam pembuatan peranti kuasa yang memerlukan lapisan jenis P. Semikonduktor jenis ini mempunyai sifat elektrik yang sangat baik.


Berbanding dengan polimorf lain seperti 6H-SiC,4H-SiCmempunyai mobiliti elektron yang lebih tinggi dan kekuatan medan elektrik pecahan, dan sesuai untuk senario frekuensi tinggi dan berkuasa tinggi. Di samping itu, bahan 4H-SiC mempunyai rintangan voltan tinggi dan suhu tinggi yang sangat baik, dan boleh berfungsi secara normal dalam persekitaran yang keras.


Piawaian berkaitan Saiz Wafer SiC jenis p 2 inci 4 inci 4° di luar paksi


Piawaian berkaitan Saiz Wafer SiC jenis p 6 inci 4° luar paksi

Kaedah dan istilah Pengesanan Wafer SiC paksi luar paksi p-jenis


Semikonduktor VeTek sudah mempunyai substrat 4H-SiC paksi luar paksi 4° dari 2-6 inci.Substrat didop dengan aluminium dan kelihatan biru. Kerintangan berjulat dari 0.1 hingga 0.7Ω•cm. 


Jika anda mempunyai keperluan produk untuk Wafer SiC jenis p luar paksi 4°, dialu-alukan untuk berunding dengan kami.

Teg Panas: 4�paksi luar p-jenis Wafer SiC, China, Pengilang, Pembekal, Kilang, Disesuaikan, Beli, Termaju, Tahan Lama, Buatan China
Kategori Berkaitan
Hantar Pertanyaan
Sila berasa bebas untuk memberikan pertanyaan anda dalam borang di bawah. Kami akan membalas anda dalam masa 24 jam.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept