Substrat SiC jenis N 4H

Semikonduktor VetekSubstrat SiC jenis N 4Hproduk mempunyai sifat elektrik, haba dan mekanikal yang sangat baik, jadi produk ini digunakan secara meluas dalam pemprosesan peranti semikonduktor yang memerlukan kuasa tinggi, frekuensi tinggi, suhu tinggi dan kebolehpercayaan yang tinggi.

Kekuatan medan elektrik pecahan SiC jenis N 4H adalah setinggi 2.2-3.0 MV/cm. Ciri produk ini membolehkan pembuatan peranti yang lebih kecil untuk mengendalikan voltan yang lebih tinggi, jadi Substrat SiC jenis 4H N kami sering digunakan untuk mengeluarkan MOSFET, Schottky dan JFET.

Kekonduksian terma Wafer SiC jenis 4H N ialah kira-kira 4.9 W/cm·K, yang membantu menghilangkan haba dengan berkesan, mengurangkan pengumpulan haba, memanjangkan hayat peranti dan sesuai untuk aplikasi ketumpatan kuasa tinggi.

Selain itu, Wafer SiC jenis Vetek Semiconductor 4H N masih boleh mempunyai prestasi elektronik yang stabil pada suhu sehingga 600°C, jadi ia sering digunakan untuk mengeluarkan penderia suhu tinggi dan sangat sesuai untuk persekitaran yang melampau.

Dengan mengembangkan lapisan epitaxial silikon karbida pada substrat silikon karbida jenis-n, wafer homoepitaxial silikon karbida boleh terus dijadikan peranti kuasa seperti SBD, MOSFET, IGBT, dll., yang digunakan dalam kenderaan elektrik, pengangkutan rel, tinggi -transmisi kuasa dan transformasi, dsb.

Vetek Semiconductor terus mengejar kualiti kristal yang lebih tinggi dan kualiti pemprosesan untuk memenuhi keperluan pelanggan. Pada masa ini, kedua-dua produk 6 inci dan 8 inci tersedia. Berikut ialah parameter produk asas Substrat SIC 6 inci dan 8 inci:

6 lnch N-jenis SiC Substrat SPESIFIKASI ASAS PRODUK:

8 lnch N-jenis SiC Substrat SPESIFIKASI ASAS PRODUK:

Kaedah dan Terminologi Pengesanan Substrat SiC jenis N 4H: