Substrat SiC Jenis Semi Penebat 4H

Vetek Semiconductor 4H Semi Insulating Type SiC memainkan pelbagai peranan utama dalam proses pemprosesan semikonduktor. Digabungkan dengan kerintangan yang tinggi, kekonduksian haba yang tinggi, jurang jalur lebar dan sifat-sifat lain, ia digunakan secara meluas dalam medan frekuensi tinggi, kuasa tinggi dan suhu tinggi, terutamanya dalam aplikasi gelombang mikro dan RF. Ia merupakan produk komponen yang amat diperlukan dalam proses pembuatan semikonduktor.

Kerintangan bagi Substrat SiC Jenis Semikonduktor Vetek Semikonduktor 4H biasanya antara 10^6 Ω·cm dan 10^9 Ω·cm. Kerintangan tinggi ini boleh menyekat arus parasit dan mengurangkan gangguan isyarat, terutamanya dalam aplikasi frekuensi tinggi dan berkuasa tinggi. Lebih penting lagi, kerintangan tinggi substrat SiC jenis SI 4H mempunyai arus kebocoran yang sangat rendah di bawah suhu tinggi dan tekanan tinggi, yang boleh memastikan kestabilan dan kebolehpercayaan peranti.

Kekuatan medan elektrik pecahan substrat SiC jenis SI 4H adalah setinggi 2.2-3.0 MV/cm, yang menentukan bahawa substrat SiC jenis SI 4H boleh menahan voltan yang lebih tinggi tanpa kerosakan, jadi produk ini sangat sesuai untuk bekerja di bawah keadaan voltan tinggi dan kuasa tinggi. Lebih penting lagi, substrat SiC jenis SI 4H mempunyai jurang jalur lebar kira-kira 3.26 eV, jadi produk boleh mengekalkan prestasi penebat yang sangat baik pada suhu tinggi dan voltan tinggi serta mengurangkan hingar elektronik.

Di samping itu, kekonduksian terma substrat SiC jenis SI 4H ialah kira-kira 4.9 W/cm·K, jadi produk ini boleh mengurangkan masalah pengumpulan haba dalam aplikasi berkuasa tinggi dengan berkesan dan memanjangkan hayat peranti. Sesuai untuk peranti elektronik dalam persekitaran suhu tinggi.

Dengan mengembangkan lapisan epitaxial GaN pada substrat silikon karbida separa penebat, wafer epitaxial GaN berasaskan silikon karbida boleh terus dijadikan peranti frekuensi radio gelombang mikro seperti HEMT, yang digunakan dalam komunikasi maklumat, pengesanan radio dan bidang lain.

Vetek Semiconductor sentiasa mengejar kualiti kristal yang lebih tinggi dan kualiti pemprosesan untuk memenuhi keperluan pelanggan. Pada masa ini, produk 4 inci dan 6 inci tersedia, dan produk 8 inci sedang dibangunkan. 

Substrat SiC Separa Penebat SPESIFIKASI PRODUK ASAS:

Substrat SiC Separa Penebat SPESIFIKASI KUALITI KRISTAL:

Kaedah dan Terminologi Pengesanan Substrat SiC Jenis Semi Penebat 4H: