Pembawa Wafer Salutan CVD TaC

Semasa proses pembuatan semikonduktor, VeTek Semiconductor'sPembawa Wafer Salutan CVD TaCialah dulang yang digunakan untuk membawa wafer. Produk ini menggunakan proses pemendapan wap kimia (CVD) untuk menyalut lapisan TaC Coating pada permukaanSubstrat Pembawa Wafer. Salutan ini boleh meningkatkan dengan ketara pengoksidaan dan rintangan kakisan pembawa wafer, sambil mengurangkan pencemaran zarah semasa pemprosesan. Ia adalah komponen penting dalam pemprosesan semikonduktor.

Semikonduktor VeTekPembawa Wafer Salutan CVD TaCterdiri daripada substrat dan asalutan tantalum karbida (TaC)..

Ketebalan salutan tantalum karbida biasanya dalam julat 30 mikron, dan TaC mempunyai takat lebur setinggi 3,880°C sambil memberikan ketahanan kakisan dan haus yang sangat baik, antara sifat lain.

Bahan asas pembawa diperbuat daripada grafit ketulenan tinggi atausilikon karbida (SiC), dan kemudian lapisan TaC (Kekerasan Knoop sehingga 2000HK) disalut pada permukaan melalui proses CVD untuk meningkatkan rintangan kakisan dan kekuatan mekanikalnya.

Pembawa Wafer Salutan CVD TaC Semiconductor VeTek biasanyamemainkan peranan berikut semasa proses membawa wafer:

Pemuatan wafer dan penetapan: Kekerasan Knoop tantalum karbida adalah setinggi 2000HK, yang boleh memastikan sokongan stabil wafer dalam ruang tindak balas. Digabungkan dengan kekonduksian terma yang baik bagi TaC (konduksi terma adalah kira-kira 21 W/mK), ia boleh menjadikan Permukaan wafer dipanaskan secara sekata dan mengekalkan taburan suhu yang seragam, yang membantu mencapai pertumbuhan seragam lapisan epitaxial.

Kurangkan pencemaran zarah: Permukaan licin dan kekerasan tinggi salutan TaC CVD membantu mengurangkan geseran antara pembawa dan wafer, sekali gus mengurangkan risiko pencemaran zarah, yang merupakan kunci kepada pembuatan peranti semikonduktor berkualiti tinggi.

Kestabilan suhu tinggi: Semasa pemprosesan semikonduktor, suhu operasi sebenar biasanya antara 1,200°C dan 1,600°C, dan salutan TaC mempunyai takat lebur setinggi 3,880°C. Digabungkan dengan pekali pengembangan haba yang rendah (pekali pengembangan haba adalah lebih kurang 6.3 × 10⁻⁶/°C), pembawa boleh mengekalkan kekuatan mekanikal dan kestabilan dimensinya di bawah keadaan suhu tinggi, menghalang wafer daripada retak atau ubah bentuk tegasan semasa pemprosesan .

Salutan tantalum karbida (TaC) pada keratan rentas mikroskopik:

Sifat fizikal asas salutan TaC CVD：