Cincin Bersalut TaC untuk Reaktor Epitaxial SiC

VeTek Semiconductor ialah Cincin Bersalut TaC berskala besar untuk pengilang dan inovator Reaktor Epitaxial SiC di China. Kami telah mengkhususkan diri dalam lapisan TaC selama bertahun-tahun. Produk kami mempunyai ketulenan yang tinggi, kestabilan yang tinggi, rintangan kakisan yang sangat baik, kekuatan ikatan yang tinggi. Kami kelihatan ke hadapan untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda di China.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Pengenalan Produk Cincin Bersalut TaC untuk Reaktor Epitaxial SiC

VeTek Semiconductor ialah sebuah syarikat terkenal yang berpangkalan di China, terkenal dengan kepakarannya dalam mengeluarkan salutan TaC dan SiC berkualiti tinggi, serta Cincin Bersalut TaC ketulenan tinggi untuk Reaktor Epitaxial SiC. Kami berbangga menawarkan produk unggul pada harga yang kompetitif. Kami sangat menjemput anda untuk menghubungi kami dan menemui penyelesaian luar biasa yang kami sediakan.

Cincin Bersalut TaC kami untuk Reaktor Epitaxial SiC memainkan peranan yang penting. Cincin ini adalah sebahagian daripada set halfmoon kami, menawarkan fungsi penting seperti sokongan substrat, kawalan suhu yang tepat, penebat haba yang berkesan, pengudaraan yang cekap dan perlindungan yang boleh dipercayai. Dengan bekerja secara harmoni, gelang ini memastikan kawalan yang teliti ke atas ketebalan, doping, dan ciri-ciri kecacatan lapisan epitaxial SiC yang ditanam dalam ruang tindak balas.

Sebagai tambahan kepada Cincin Bersalut TaC kami yang luar biasa, VeTek Semiconductor menawarkan rangkaian luas produk berkaitan yang direka khusus untuk ruang tindak balas. Barisan produk kami termasuk separuh bulan atas dan bawah, penutup pelindung, penutup penebat dan antara muka lencongan udara proses. Setiap komponen ini menjalani salutan SiC atau TaC yang teliti untuk meningkatkan prestasi dan memanjangkan jangka hayatnya.

Parameter produk Cincin Bersalut TaC untuk Reaktor Epitaxial SiC

Sifat fizikal salutan TaC
Ketumpatan	14.3 (g/cm³)
Pemancaran khusus	0.3
Pekali pengembangan terma	6.3 10-6/K
Kekerasan (HK)	2000 HK
Rintangan	1×10-5 Ohm*cm
Kestabilan terma	<2500 ℃
Perubahan saiz grafit	-10~-20um
Ketebalan salutan	≥20um nilai biasa (35um±10um)