VeTek Semiconductor ialah pengeluar dan inovator Tantalum Carbide Coated Cover terkemuka di China.Kami telah mengkhususkan diri dalam lapisan TaC dan SiC selama bertahun-tahun.Produk kami mempunyai rintangan kakisan, kekuatan tinggi. Kami berharap untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda di China.
Dapatkan banyak pilihan Penutup Bersalut Tantalum Carbide dari China di VeTek Semiconductor. Menyediakan perkhidmatan selepas jualan yang profesional dan harga yang sesuai, mengharapkan kerjasama. Penutup Bersalut Tantalum Carbide yang dibangunkan oleh VeTek Semiconductor ialah aksesori yang direka khusus untuk sistem AIXTRON G10 MOCVD, bertujuan untuk mengoptimumkan kecekapan dan meningkatkan kualiti pembuatan semikonduktor. Ia direka dengan teliti menggunakan bahan berkualiti tinggi dan dihasilkan dengan ketepatan tertinggi, memastikan prestasi cemerlang dan kebolehpercayaan untuk proses Pemendapan Wap Kimia Logam-Organik (MOCVD).
Dibina dengan substrat grafit yang disalut dengan Pemendapan Wap Kimia (CVD) Tantalum Carbide (TaC), Penutup Bersalut Tantalum Carbide menawarkan kestabilan terma yang luar biasa, ketulenan tinggi dan ketahanan terhadap suhu tinggi. Gabungan bahan unik ini menyediakan penyelesaian yang boleh dipercayai untuk keadaan operasi yang menuntut sistem MOCVD.
Penutup Bersalut Tantalum Carbide boleh disesuaikan untuk menampung pelbagai saiz wafer semikonduktor, menjadikannya sesuai untuk keperluan pengeluaran yang pelbagai. Pembinaannya yang teguh direka bentuk khusus untuk menahan persekitaran MOCVD yang mencabar, memastikan prestasi berpanjangan dan meminimumkan masa henti dan kos penyelenggaraan yang berkaitan dengan pembawa wafer dan susceptor.
Dengan memasukkan penutup TaC ke dalam sistem AIXTRON G10 MOCVD, pengeluar semikonduktor boleh mencapai kecekapan yang lebih tinggi dan hasil yang lebih baik. Kestabilan terma yang luar biasa, keserasian dengan saiz wafer yang berbeza, dan prestasi Cakera Planetary yang boleh dipercayai menjadikannya alat yang sangat diperlukan untuk mengoptimumkan kecekapan pengeluaran dan mencapai hasil yang cemerlang dalam proses MOCVD.
Sifat fizikal salutan TaC | |
Ketumpatan | 14.3 (g/cm³) |
Pemancaran khusus | 0.3 |
Pekali pengembangan terma | 6.3 10-6/K |
Kekerasan (HK) | 2000 HK |
Rintangan | 1×10-5 Ohm*cm |
Kestabilan terma | <2500 ℃ |
Perubahan saiz grafit | -10~-20um |
Ketebalan salutan | ≥20um nilai biasa (35um±10um) |