Bahan mentah CVD SiC ketulenan tinggi

Bahan mentah CVD SiC ketulenan tinggi yang disediakan oleh CVD adalah bahan sumber terbaik untuk pertumbuhan kristal silikon karbida melalui pengangkutan wap fizikal. Ketumpatan bahan mentah CVD SiC ketulenan tinggi yang dibekalkan oleh Semikonduktor VeTek adalah lebih tinggi daripada zarah kecil yang terbentuk oleh pembakaran spontan gas yang mengandungi Si dan C, dan ia tidak memerlukan relau pensinteran khusus dan mempunyai kadar penyejatan yang hampir tetap. Ia boleh menumbuhkan kristal tunggal SiC berkualiti tinggi. Mengharapkan pertanyaan anda.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

VeTek Semiconductor telah membangunkan yang baharuBahan mentah kristal tunggal SiC- Bahan mentah CVD SiC ketulenan tinggi. Produk ini mengisi jurang domestik dan juga berada di peringkat terkemuka di peringkat global, dan akan berada dalam kedudukan utama jangka panjang dalam persaingan. Bahan mentah silikon karbida tradisional dihasilkan melalui tindak balas silikon ketulenan tinggi dangrafit, yang tinggi dalam kos, rendah ketulenan dan bersaiz kecil.

Teknologi katil terbendalir VeTek Semiconductor menggunakan metiltriklorosilane untuk menjana bahan mentah silikon karbida melalui pemendapan wap kimia, dan hasil sampingan utama ialah asid hidroklorik. Asid hidroklorik boleh membentuk garam dengan meneutralkan dengan alkali, dan tidak akan menyebabkan sebarang pencemaran kepada alam sekitar. Pada masa yang sama, methyltrichlorosilane adalah gas perindustrian yang digunakan secara meluas dengan kos rendah dan sumber yang luas, terutamanya China adalah pengeluar utama methyltrichlorosilane. Oleh itu, bahan mentah CVD SiC ketulenan Tinggi Semikonduktor VeTek mempunyai daya saing terkemuka antarabangsa dari segi kos dan kualiti. Ketulenan bahan mentah CVD SiC ketulenan Tinggi adalah lebih tinggi daripada99.9995%.

Kelebihan bahan mentah CVD SiC ketulenan tinggi

High purity CVD SiC raw materials

● Saiz besar dan ketumpatan tinggi

Saiz zarah purata adalah kira-kira 4-10mm, dan saiz zarah bahan mentah Acheson domestik adalah <2.5mm. Isipadu pijar yang sama boleh memuatkan lebih daripada 1.5kg bahan mentah, yang sesuai untuk menyelesaikan masalah kekurangan bekalan bahan pertumbuhan kristal bersaiz besar, mengurangkan grafitisasi bahan mentah, mengurangkan pembalut karbon dan meningkatkan kualiti kristal.

●Nisbah Si/C yang rendah

Ia lebih hampir kepada 1:1 daripada bahan mentah Acheson kaedah penyebaran sendiri, yang boleh mengurangkan kecacatan yang disebabkan oleh peningkatan tekanan separa Si.

●Nilai keluaran yang tinggi

Bahan mentah yang ditanam masih mengekalkan prototaip, mengurangkan penghabluran semula, mengurangkan grafitisasi bahan mentah, mengurangkan kecacatan pembalut karbon, dan meningkatkan kualiti kristal.

● Kesucian yang lebih tinggi

Ketulenan bahan mentah yang dihasilkan oleh kaedah CVD adalah lebih tinggi daripada bahan mentah Acheson kaedah penyebaran sendiri. Kandungan nitrogen telah mencapai 0.09ppm tanpa penulenan tambahan. Bahan mentah ini juga boleh memainkan peranan penting dalam bidang separa penebat.

● Kos yang lebih rendah

Kadar penyejatan seragam memudahkan proses dan kawalan kualiti produk, sambil meningkatkan kadar penggunaan bahan mentah (kadar penggunaan>50%, 4.5kg bahan mentah menghasilkan jongkong 3.5kg), mengurangkan kos.

●Kadar ralat manusia yang rendah

Pemendapan wap kimia mengelakkan kekotoran yang diperkenalkan oleh operasi manusia.

Bahan mentah CVD SiC ketulenan tinggi ialah produk generasi baharu yang digunakan untuk menggantikanSerbuk SiC untuk menumbuhkan kristal tunggal SiC. Kualiti kristal tunggal SiC yang ditanam adalah sangat tinggi. Pada masa ini, VeTek Semiconductor telah menguasai sepenuhnya teknologi ini. Dan ia sudah mampu membekalkan produk ini ke pasaran dengan harga yang sangat menguntungkan.