Susceptor Tong Grafit Bersalut SiC untuk EPI

VeTek Semiconductor ialah pengilang profesional, pembekal dan pengeksport untuk susceptor tong grafit bersalut SiC untuk EPI. Disokong oleh pasukan profesional dan teknologi terkemuka, VeTek Semiconductor boleh memberikan anda kualiti yang tinggi pada harga yang berpatutan. kami mengalu-alukan anda untuk melawat kilang kami untuk perbincangan lanjut.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

VeTek Semiconductor ialah pengilang & pembekal China yang kebanyakannya menghasilkan susceptor tong grafit bersalut SiC untuk EPI dengan pengalaman bertahun-tahun. Semoga dapat membina hubungan perniagaan dengan anda. EPI (Epitaxy) ialah proses kritikal dalam pembuatan semikonduktor termaju. Ia melibatkan pemendapan lapisan nipis bahan pada substrat untuk mencipta struktur peranti yang kompleks. Susceptor tong grafit bersalut SiC untuk EPI biasanya digunakan sebagai susceptor dalam reaktor EPI kerana kekonduksian terma yang sangat baik dan rintangan kepada suhu tinggi. Dengan salutan CVD-SiC, ia menjadi lebih tahan terhadap pencemaran, hakisan dan kejutan haba. Ini menghasilkan jangka hayat yang lebih lama untuk susceptor dan kualiti filem yang lebih baik.

Kelebihan Susceptor Barrel Graphite Bersalut SiC kami:

Pencemaran yang Dikurangkan: Sifat lengai SiC menghalang kekotoran daripada melekat pada permukaan susceptor, mengurangkan risiko pencemaran filem yang dimendapkan.

Peningkatan Rintangan Hakisan: SiC jauh lebih tahan terhadap hakisan berbanding grafit konvensional, yang membawa kepada jangka hayat yang lebih lama untuk susceptor.

Kestabilan Terma yang Dipertingkatkan: SiC mempunyai kekonduksian terma yang sangat baik dan boleh menahan suhu tinggi tanpa herotan yang ketara.

Kualiti Filem yang Dipertingkat: Kestabilan terma yang dipertingkatkan dan pencemaran yang dikurangkan menghasilkan filem termendap berkualiti tinggi dengan kawalan keseragaman dan ketebalan yang lebih baik.

Aplikasi:

Suseptor tong grafit bersalut SiC digunakan secara meluas dalam pelbagai aplikasi EPI, termasuk:

LED berasaskan GaN

Elektronik kuasa

Peranti optoelektronik

Transistor frekuensi tinggi

Penderia

Parameter produk Susceptor Barel Grafit Bersalut SiC

Sifat fizikal grafit isostatik
Harta benda	Unit	Nilai Biasa
Ketumpatan pukal	g/cm³	1.83
Kekerasan	HSD	58
Kerintangan Elektrik	mΩ.m	10
Kekuatan lenturan	MPa	47
Kekuatan mampatan	MPa	103
Kekuatan Tegangan	MPa	31
Modulus Muda	GPa	11.8
Pengembangan Terma(CTE)	10-6K-1	4.6
Kekonduksian terma	W·m-1·K-1	130
Saiz Bijian Purata	μm	8-10
Keliangan	%	10
Kandungan Abu	ppm	≤10 (selepas disucikan)

Nota: Sebelum salutan, kami akan melakukan pembersihan pertama, selepas salutan, akan melakukan penulenan kedua.

Sifat fizikal asas salutan SiC CVD
Harta benda	Nilai Biasa
Struktur Kristal	polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111).
Ketumpatan	3.21 g/cm³
Kekerasan	2500 Vickers kekerasan（500g beban）
Saiz bijirin	2~10μm
Ketulenan Kimia	99.99995%
Kapasiti Haba	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lenturan	415 MPa RT 4 mata
Modulus Muda	430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃
Kekonduksian terma	300W·m-1·K-1
Pengembangan Terma(CTE)	4.5×10-6K-1