Sokongan Bersalut SiC untuk LPE PE2061S

VeTek Semiconductor ialah Sokongan Bersalut SiC terkemuka untuk pengilang dan inovator LPE PE2061S di China. Kami telah mengkhususkan diri dalam bahan salutan SiC selama bertahun-tahun. Kami menawarkan Sokongan Bersalut SiC untuk LPE PE2061S yang direka khusus untuk reaktor epitaksi silikon LPE. Sokongan Bersalut SiC untuk LPE PE2061S ini adalah bahagian bawah susceptor tong. Ia boleh menahan suhu tinggi 1600 darjah Celsius, memanjangkan hayat produk alat ganti grafit. Selamat datang untuk menghantar pertanyaan kepada kami.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Sokongan Bersalut SiC berkualiti tinggi untuk LPE PE2061S ditawarkan oleh pengeluar China VeTek Semiconductor. Beli Sokongan Bersalut SiC untuk LPE PE2061S yang berkualiti tinggi secara langsung dengan harga yang rendah.

Sokongan Bersalut SiC Semikonduktor VeTeK untuk LPE PE2061S dalam peralatan epitaksi silikon, digunakan bersama dengan susceptor jenis tong untuk menyokong dan memegang wafer (atau substrat) epitaxial semasa proses pertumbuhan epitaxial.

Plat bawah digunakan terutamanya dengan relau epitaxial tong, relau epitaxial tong mempunyai ruang tindak balas yang lebih besar dan kecekapan pengeluaran yang lebih tinggi daripada susceptor epitaxial rata.

Sokongan mempunyai reka bentuk lubang bulat dan digunakan terutamanya untuk saluran keluar ekzos di dalam reaktor.

Sokongan Bersalut SiC Semikonduktor VeTeK untuk LPE PE2061S adalah untuk Sistem Reaktor Epitaksi Fasa Cecair (LPE), dengan ketulenan tinggi, salutan seragam, kestabilan suhu tinggi, rintangan kakisan, kekerasan tinggi, kekonduksian terma yang sangat baik, pekali pengembangan haba yang rendah dan lengai kimia .

Sifat fizikal asas salutan CVD SiC:

Sifat fizikal asas salutan SiC CVD
Harta benda	Nilai Biasa
Struktur Kristal	Polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111).
Ketumpatan	3.21 g/cm³
Kekerasan	2500 Vickers kekerasan（500g beban）
Saiz bijirin	2~10μm
Ketulenan Kimia	99.99995%
Kapasiti Haba	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lenturan	415 MPa RT 4 mata
Modulus Muda	430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃
Kekonduksian terma	300W·m-1·K-1
Pengembangan Terma(CTE)	4.5×10-6K-1