Bahagian Pengedap SiC

Bahagian Pengedap SiC memainkan peranan penting dalam pemprosesan semikonduktor. Sifat bahan yang sangat baik dan kesan pengedap yang boleh dipercayai bukan sahaja meningkatkan kecekapan pengeluaran, tetapi juga memastikan kualiti dan keselamatan produk.

Kelebihan Utama Bahagian Pengedap Silicon Carbide:

Rintangan Kakisan Cemerlang: Antara bahan seramik termaju, Bahagian Pengedap SiC VeTeksemi mungkin mempunyai rintangan kakisan terbaik dalam persekitaran berasid dan beralkali. Rintangan kakisan yang tiada tandingan ini memastikan Bahagian Pengedap SiC boleh beroperasi dengan berkesan dalam persekitaran yang menghakis kimia, menjadikannya bahan yang sangat diperlukan dalam industri yang sering terdedah kepada bahan menghakis.

Ringan dan Kuat: Silicon Carbide mempunyai ketumpatan kira-kira 3.2 g/cm³, dan walaupun merupakan bahan seramik yang ringan, kekuatan silikon karbida adalah setanding dengan berlian. Gabungan ringan dan kekuatan ini meningkatkan prestasi komponen mekanikal, dengan itu meningkatkan kecekapan dan mengurangkan haus dalam aplikasi industri yang menuntut. Sifat ringan Bahagian Pengedap SiC juga memudahkan pengendalian dan pemasangan komponen yang lebih mudah.

Kekerasan yang sangat tinggi dan kekonduksian haba yang tinggi: Silicon Carbide mempunyai kekerasan Mohs 9~10, setanding dengan berlian. Sifat ini, digabungkan dengan kekonduksian terma yang tinggi (kira-kira 120-200 W/m·K pada suhu bilik), membolehkan pengedap SiC berfungsi dalam keadaan yang akan merosakkan bahan yang lebih rendah. Sifat mekanikal SiC yang sangat baik dikekalkan pada suhu sehingga 1600°C, memastikan pengedap SiC kekal teguh dan boleh dipercayai walaupun dalam aplikasi suhu tinggi.

Kekerasan Tinggi dan Rintangan Haus: Silicon Carbide dicirikan oleh ikatan kovalen yang kuat dalam kekisi kristalnya, memberikan kekerasan yang tinggi dan modulus keanjalan yang cukup besar. Ciri-ciri ini diterjemahkan kepada rintangan haus yang sangat baik, mengurangkan kemungkinan lenturan atau ubah bentuk walaupun selepas penggunaan jangka panjang. Ini menjadikan SiC pilihan yang sangat baik untuk bahagian pengedap SiC yang tertakluk kepada tekanan mekanikal berterusan dan keadaan melelas.

Pembentukan Lapisan Silikon Dioksida Pelindung: Apabila terdedah kepada suhu kira-kira 1300°C dalam persekitaran yang kaya dengan oksigen, Silicon Carbide membentuk silikon dioksida pelindung (SiO₂) lapisan pada permukaannya. Lapisan ini bertindak sebagai penghalang, menghalang pengoksidaan dan interaksi kimia selanjutnya. Sebagai SiO₂lapisan menebal, ia seterusnya melindungi SiC asas daripada tindak balas lain. Proses pengoksidaan yang mengehadkan diri ini memberikan rintangan dan kestabilan kimia yang sangat baik kepada SiC, menjadikan pengedap SiC sesuai untuk digunakan dalam persekitaran reaktif dan suhu tinggi.

Serbaguna dalam Aplikasi Berprestasi Tinggi:Sifat unik Silicon Carbide menjadikannya serba boleh dan cekap dalam pelbagai aplikasi berprestasi tinggi. Daripada pengedap dan galas mekanikal kepada penukar haba dan komponen turbin, keupayaan Bahagian Pengedap SiC untuk menahan keadaan yang melampau dan mengekalkan integritinya menjadikannya bahan pilihan dalam penyelesaian kejuruteraan termaju.

VeTek Semiconductor telah komited untuk menyediakan teknologi canggih dan penyelesaian produk untuk industri semikonduktor. Selain itu, produk SiC kami juga termasukSalutan Silikon Karbida, Seramik Silikon KarbidadanProses Epitaksi SiCproduk. Mengalu-alukan perundingan lanjut anda.

DATA SEM STRUKTUR KRISTAL FILEM SIC CVD：