Susceptor Salutan TaC

VeTek Semiconductor mempersembahkan Susceptor Coating TaC, Dengan salutan TaC yang luar biasa, susceptor ini menawarkan pelbagai kelebihan yang membezakannya daripada penyelesaian konvensional. Mengintegrasikan dengan lancar ke dalam sistem sedia ada, Susceptor Coating TaC dari VeTek Semiconductor menjamin keserasian dan operasi yang cekap. Prestasi yang boleh dipercayai dan salutan TaC berkualiti tinggi secara konsisten memberikan hasil yang luar biasa dalam proses epitaksi SiC. Kami komited untuk menyediakan produk berkualiti pada harga yang kompetitif dan berharap untuk menjadi rakan kongsi jangka panjang anda di China.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Susceptor dan cincin bersalut TaC Semiconductor VeTek berfungsi bersama dalam reaktor pertumbuhan epitaxial silikon karbida LPE:

High-Temperature Resistance: The TaC coating susceptor has excellent high-temperature resistance, able to withstand the extreme temperatures up to 1500°C in the LPE reactor. This ensures the equipment and components do not deform or get damaged during long-term operation.

Kestabilan Kimia: Suseptor salutan TaC berprestasi sangat baik dalam persekitaran pertumbuhan karbida silikon yang menghakis, dengan berkesan melindungi komponen reaktor daripada serangan kimia yang menghakis, dengan itu memanjangkan hayat perkhidmatannya.

Kestabilan Terma: Susceptor salutan TaC mempunyai kestabilan terma yang baik, mengekalkan morfologi permukaan dan kekasaran untuk memastikan keseragaman medan suhu dalam reaktor, yang bermanfaat untuk pertumbuhan berkualiti tinggi lapisan epitaxial silikon karbida.

Anti Pencemaran: Permukaan bersalut TaC yang licin dan prestasi TPD (Temperature Programmed Desorption) yang unggul boleh meminimumkan pengumpulan dan penjerapan zarah dan kekotoran di dalam reaktor, menghalang pencemaran lapisan epitaxial.

Ringkasnya, susceptor dan cincin bersalut TaC memainkan peranan perlindungan yang kritikal dalam reaktor pertumbuhan epitaxial silikon karbida LPE, memastikan operasi peralatan yang stabil jangka panjang dan pertumbuhan berkualiti tinggi lapisan epitaxial.

Parameter produk Susceptor Salutan TaC:

Sifat fizikal salutan TaC
Ketumpatan	14.3 (g/cm³)
Pemancaran khusus	0.3
Pekali pengembangan terma	6.3 10-6/K
Kekerasan (HK)	2000 HK
Rintangan	1×10-5 Ohm*cm
Kestabilan terma	<2500 ℃
Perubahan saiz grafit	-10~-20um
Ketebalan salutan	≥20um nilai biasa (35um±10um)