Susceptor Tong Bersalut CVD SiC

VeTek Semiconductor ialah pengeluar dan inovator terkemuka bagi Susceptor Barel Bersalut SiC CVD di China. Susceptor Barrel Bersalut CVD SiC kami memainkan peranan penting dalam menggalakkan pertumbuhan epitaxial bahan semikonduktor pada wafer dengan ciri produknya yang cemerlang. Selamat datang ke perundingan lanjut anda.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

VeTek semikonduktor CVD SiC Coated Barrel Susceptor disesuaikan untukproses epitaxialdalam pembuatan semikonduktor dan merupakan pilihan ideal untuk meningkatkan kualiti dan hasil produk. Pangkalan Susceptor Barrel Coating SiC ini menggunakan struktur grafit pepejal dan disalut dengan tepat dengan lapisan SiC olehProses CVD, yang menjadikannya mempunyai kekonduksian terma yang sangat baik, rintangan kakisan dan rintangan suhu tinggi, dan boleh mengatasi persekitaran yang keras dengan berkesan semasa pertumbuhan epitaxial.

Mengapa memilih VeTek semikonduktor CVD SiC Coated Barrel Susceptor?

● Pemanasan seragam untuk memastikan kualiti lapisan epitaxial: Kekonduksian haba yang sangat baik bagi salutan SiC memastikan pengagihan suhu seragam pada permukaan wafer, mengurangkan kecacatan secara berkesan dan meningkatkan hasil produk.

● Memanjangkan hayat perkhidmatan pangkalan: TheSalutan SiCmempunyai rintangan kakisan yang sangat baik dan rintangan suhu tinggi, yang boleh memanjangkan hayat perkhidmatan pangkalan dengan berkesan dan mengurangkan kos pengeluaran.

● Meningkatkan kecekapan pengeluaran: Reka bentuk tong mengoptimumkan proses pemuatan dan pemunggahan wafer dan meningkatkan kecekapan pengeluaran.

● Berkenaan dengan pelbagai bahan semikonduktor: Asas ini boleh digunakan secara meluas dalam pertumbuhan epitaxial pelbagai bahan semikonduktor sepertiSiCdanGaN.

Kelebihan Susceptor Barrel Bersalut CVD SiC:

●Prestasi haba yang sangat baik: Kekonduksian terma yang tinggi dan kestabilan terma memastikan ketepatan kawalan suhu semasa pertumbuhan epitaxial.

●Rintangan kakisan: Salutan SiC boleh menahan hakisan suhu tinggi dan gas menghakis dengan berkesan, memanjangkan hayat perkhidmatan asas.

●Kekuatan tinggi: Tapak grafit memberikan sokongan padu untuk memastikan kestabilan proses epitaxial.

●Perkhidmatan tersuai: Semikonduktor VeTek boleh menyediakan perkhidmatan tersuai mengikut keperluan pelanggan untuk memenuhi keperluan proses yang berbeza.

DATA SEM STRUKTUR KRISTAL FILEM COATING CVD SIC:

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

Sifat fizikal asas salutan SiC CVD:

Sifat fizikal asas salutan SiC CVD
Harta benda	Nilai Biasa
Struktur Kristal	Polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111).
Ketumpatan lapisan SiC	3.21 g/cm³
Kekerasan	Kekerasan 2500 Vickers（500g beban）
Saiz Bijirin	2~10μm
Ketulenan Kimia	99.99995%
Kapasiti Haba	640 J·kg^-1·K^-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lentur	415 MPa RT 4 mata
Modulus Muda	430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃
Kekonduksian Terma	300W·m^-1·K^-1
Pengembangan Terma(CTE)	4.5×10^-6K^-1