Jika Penerima EPI

VeTek Semiconductor ialah sebuah kilang yang menggabungkan pemesinan ketepatan dan keupayaan salutan semikonduktor SiC dan TaC. Jenis tong Si Epi Susceptor menyediakan keupayaan kawalan suhu dan atmosfera, meningkatkan kecekapan pengeluaran dalam proses pertumbuhan epitaxial semikonduktor. Tidak sabar untuk mewujudkan hubungan kerjasama dengan anda.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Berikut ialah pengenalan Si Epi Susceptor berkualiti tinggi, dengan harapan dapat membantu anda memahami dengan lebih baik Jenis Barrel Si Epi Susceptor. Mengalu-alukan pelanggan baru dan lama untuk terus bekerjasama dengan kami untuk mencipta masa depan yang lebih baik!

Reaktor Epitaxial ialah peranti khusus yang digunakan untuk pertumbuhan epitaxial dalam pembuatan semikonduktor. Barrel Type Si Epi Susceptor menyediakan persekitaran yang mengawal suhu, atmosfera dan parameter utama lain untuk mendepositkan lapisan kristal baharu pada permukaan wafer.

Kelebihan utama Barrel Type Si Epi Susceptor ialah keupayaannya untuk memproses berbilang cip serentak, yang meningkatkan kecekapan pengeluaran. Ia biasanya mempunyai berbilang lekap atau pengapit untuk memegang berbilang wafer supaya berbilang wafer boleh ditanam pada masa yang sama dalam kitaran pertumbuhan yang sama. Ciri pemprosesan tinggi ini mengurangkan kitaran dan kos pengeluaran serta meningkatkan kecekapan pengeluaran.

Selain itu, Barrel Type Si Epi Susceptor menawarkan kawalan suhu dan atmosfera yang optimum. Ia dilengkapi dengan sistem kawalan suhu termaju yang mampu mengawal dan mengekalkan suhu pertumbuhan yang diingini dengan tepat. Pada masa yang sama, ia menyediakan kawalan suasana yang baik, memastikan setiap cip ditanam di bawah keadaan atmosfera yang sama. Ini membantu untuk mencapai pertumbuhan lapisan epitaxial yang seragam dan meningkatkan kualiti dan konsistensi lapisan epitaxial.

Dalam Susceptor Si Epi Jenis Barrel, cip biasanya mencapai pengedaran suhu seragam dan pemindahan haba melalui aliran udara atau aliran cecair. Pengagihan suhu seragam ini membantu mengelakkan pembentukan bintik panas dan kecerunan suhu, dengan itu meningkatkan keseragaman lapisan epitaxial.

Kelebihan lain ialah Susceptor Si Epi Jenis Barrel memberikan fleksibiliti dan kebolehskalaan. Ia boleh dilaraskan dan dioptimumkan untuk bahan epitaxial yang berbeza, saiz cip dan parameter pertumbuhan. Ini membolehkan penyelidik dan jurutera menjalankan pembangunan dan pengoptimuman proses yang pantas untuk memenuhi keperluan pertumbuhan epitaxial bagi aplikasi dan keperluan yang berbeza.

Sifat fizikal asas salutan CVD SiC:

Sifat fizikal asas salutan SiC CVD
Harta benda	Nilai Biasa
Struktur Kristal	polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111).
Ketumpatan	3.21 g/cm³
Kekerasan	Kekerasan 2500 Vickers（500g beban）
Saiz bijirin	2~10μm
Ketulenan Kimia	99.99995%
Kapasiti Haba	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lenturan	415 MPa RT 4 mata
Modulus Muda	430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃
Kekonduksian terma	300W·m-1·K-1
Pengembangan Terma(CTE)	4.5×10-6K-1