Reseptor Epi Bersalut SiC

Sebagai pengeluar domestik terkemuka bagi salutan silikon karbida dan tantalum karbida, VeTek Semiconductor mampu menyediakan pemesinan ketepatan dan salutan seragam SiC Coated Epi Susceptor, dengan berkesan mengawal ketulenan salutan dan produk di bawah 5ppm. Hayat produk adalah setanding dengan SGL. Selamat datang untuk bertanya kepada kami.

Hantar Pertanyaan

Penerangan Produk

Anda boleh yakin untuk membeli SiC Coated Epi Susceptor dari kilang kami.

VeTek Semiconductor SiC Coated Epi Susceptor ialah Epitaxial barrel ialah alat khas untuk proses pertumbuhan epitaxial semikonduktor dengan banyak kelebihan:

Kapasiti pengeluaran yang cekap: Susceptor Epi Bersalut SiC boleh memuatkan berbilang wafer, menjadikannya mungkin untuk melakukan pertumbuhan epitaxial berbilang wafer secara serentak. Kapasiti pengeluaran yang cekap ini boleh meningkatkan kecekapan pengeluaran dan mengurangkan kitaran dan kos pengeluaran.

Kawalan suhu yang dioptimumkan: Susceptor Epi Bersalut SiC dilengkapi dengan sistem kawalan suhu termaju untuk mengawal dan mengekalkan suhu pertumbuhan yang diingini dengan tepat. Kawalan suhu yang stabil membantu mencapai pertumbuhan lapisan epitaxial yang seragam dan meningkatkan kualiti dan konsistensi lapisan epitaxial.

Pengagihan suasana seragam: Susceptor Epi Bersalut SiC menyediakan pengagihan atmosfera yang seragam semasa pertumbuhan, memastikan setiap wafer terdedah kepada keadaan atmosfera yang sama. Ini membantu mengelakkan perbezaan pertumbuhan antara wafer dan meningkatkan keseragaman lapisan epitaxial.

Kawalan kekotoran yang berkesan: Reka bentuk Susceptor Epi Bersalut SiC membantu mengurangkan pengenalan dan penyebaran kekotoran. Ia boleh memberikan pengedap yang baik dan kawalan suasana, mengurangkan kesan kekotoran pada kualiti lapisan epitaxial, dan dengan itu meningkatkan prestasi dan kebolehpercayaan peranti.

Pembangunan proses yang fleksibel: Susceptor Epi Bersalut SiC mempunyai keupayaan pembangunan proses yang fleksibel yang membolehkan pelarasan pantas dan pengoptimuman parameter pertumbuhan. Ini membolehkan penyelidik dan jurutera menjalankan pembangunan dan pengoptimuman proses yang pantas untuk memenuhi keperluan pertumbuhan epitaxial bagi aplikasi dan keperluan yang berbeza.

Sifat fizikal asas salutan CVD SiC:

Sifat fizikal asas salutan SiC CVD
Harta benda	Nilai Biasa
Struktur Kristal	Polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111).
Ketumpatan	3.21 g/cm³
Kekerasan	2500 Vickers kekerasan（500g beban）
Saiz bijirin	2~10μm
Ketulenan Kimia	99.99995%
Kapasiti Haba	640 J·kg-1·K-1
Suhu Sublimasi	2700 ℃
Kekuatan lenturan	415 MPa RT 4 mata
Modulus Muda	430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃
Kekonduksian terma	300W·m-1·K-1
Pengembangan Terma(CTE)	4.5×10-6K-1