Vetek Semiconductor adalah profesional dalam membuat salutan CVD SiC, salutan TaC pada bahan grafit dan silikon karbida. Kami menyediakan produk OEM dan ODM seperti SiC Coated Pedestal, pembawa wafer, chuck wafer, dulang pembawa wafer, cakera planet dan sebagainya. Dengan bilik bersih dan peranti penulenan gred 1000, kami boleh memberikan anda produk dengan kekotoran di bawah 5ppm. Tidak sabar untuk mendengar daripada anda tidak lama lagi.
Dengan pengalaman bertahun-tahun dalam pengeluaran bahagian grafit bersalut SiC, Vetek Semiconductor boleh membekalkan pelbagai jenis alas bersalut SiC. Alas bersalut SiC berkualiti tinggi boleh memenuhi banyak aplikasi, jika anda perlukan, sila dapatkan perkhidmatan kami dalam talian tepat pada masanya mengenai alas bersalut SiC. Sebagai tambahan kepada senarai produk di bawah, anda juga boleh menyesuaikan alas kaki bersalut SiC unik anda sendiri mengikut keperluan khusus anda.
Berbanding dengan kaedah lain, seperti kaedah MBE, LPE, PLD, MOCVD mempunyai kelebihan kecekapan pertumbuhan yang lebih tinggi, ketepatan kawalan yang lebih baik dan kos yang agak rendah, dan digunakan secara meluas dalam industri semasa. Dengan peningkatan permintaan untuk bahan epitaxial semikonduktor, terutamanya untuk pelbagai jenis bahan epitaxial optoelektronik seperti LD dan LED, adalah sangat penting untuk mengguna pakai reka bentuk peralatan baharu untuk meningkatkan lagi kapasiti pengeluaran dan mengurangkan kos.
Antaranya, dulang grafit yang dimuatkan dengan substrat yang digunakan dalam pertumbuhan epitaxial MOCVD adalah bahagian yang sangat penting dalam peralatan MOCVD. Dulang grafit yang digunakan dalam pertumbuhan epitaxial nitrida kumpulan III, untuk mengelakkan kakisan ammonia, hidrogen dan gas lain pada grafit, secara amnya pada permukaan dulang grafit akan disalut dengan lapisan pelindung silikon karbida seragam nipis. Dalam pertumbuhan epitaxial bahan, keseragaman, konsistensi dan kekonduksian terma lapisan pelindung silikon karbida adalah sangat tinggi, dan terdapat keperluan tertentu untuk hayatnya. Alas bersalut SiC Vetek Semiconductor mengurangkan kos pengeluaran palet grafit dan meningkatkan hayat perkhidmatannya, yang mempunyai peranan besar dalam mengurangkan kos peralatan MOCVD.
Alas bersalut SiC juga merupakan bahagian penting dalam ruang tindak balas MOCVD, yang meningkatkan kecekapan pengeluaran dengan berkesan.
Sifat fizikal asas salutan SiC CVD | |
Harta benda | Nilai Biasa |
Struktur Kristal | polihablur fasa FCC β, terutamanya berorientasikan (111). |
Ketumpatan | 3.21 g/cm³ |
Kekerasan | Kekerasan 2500 Vickers(500g beban) |
Saiz bijirin | 2~10μm |
Ketulenan Kimia | 99.99995% |
Kapasiti Haba | 640 J·kg-1·K-1 |
Suhu Sublimasi | 2700 ℃ |
Kekuatan lenturan | 415 MPa RT 4 mata |
Modulus Muda | 430 Gpa selekoh 4pt, 1300℃ |
Kekonduksian terma | 300W·m-1·K-1 |
Pengembangan Terma(CTE) | 4.5×10-6K-1 |